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揭秘?zé)嵩O(shè)計(jì)集成電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵密碼
本文將帶您深入探討設(shè)計(jì)工程師在熱設(shè)計(jì)過程中需要關(guān)注的一些關(guān)鍵問題。具體來說，我們將聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實(shí)際應(yīng)用中所面臨的相關(guān)熱問題。
2024-06-13
熱設(shè)計(jì) 集成電路設(shè)計(jì)
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取代CAN總線，車載以太網(wǎng)10BASE-T1S成為主流？
在汽車新四化（電動(dòng)化、網(wǎng)聯(lián)化、智能化、共享化）和軟件定義汽車的浪潮下，汽車正經(jīng)歷著一場(chǎng)深刻的架構(gòu)變革。曾經(jīng)的分布式架構(gòu)，已無法滿足日益復(fù)雜的汽車功能需求。汽車電子電氣正在朝著域架構(gòu)、跨域架構(gòu)和集中式架構(gòu)加速演進(jìn)。安富利密切關(guān)注汽車變革趨勢(shì)，攜手合作伙伴積極布局汽車相關(guān)的解決方...
2024-06-13
CAN總線 車載以太網(wǎng) 10BASE-T1S
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如何利用低電平有效輸出驅(qū)動(dòng)高端輸入開關(guān)？
在無線收發(fā)器等應(yīng)用中，系統(tǒng)一般處于偏遠(yuǎn)地區(qū)，通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行干預(yù)，此類應(yīng)用必須持續(xù)運(yùn)行。系統(tǒng)持續(xù)無活動(dòng)或掛起后，需要復(fù)位系統(tǒng)以恢復(fù)操作。為了實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)復(fù)位，可以切斷電源電壓，斷開系統(tǒng)電源，然后再次連接電源以重啟系統(tǒng)。本文將探討使用什么方法和技術(shù)可以監(jiān)...
2024-06-12
低電平 有效輸出驅(qū)動(dòng) 輸入開關(guān)
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電驅(qū)逆變器SiC功率模塊芯片級(jí)熱分析
本文提出一個(gè)用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測(cè)量每顆裸片在連續(xù)工作時(shí)的溫度，分析兩個(gè)電驅(qū)逆變模塊驗(yàn)證，該測(cè)溫系統(tǒng)的驗(yàn)證方法是，根據(jù)柵源電壓閾值選擇每個(gè)模塊內(nèi)的裸片。我們將從實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)中提取一...
2024-06-12
電驅(qū)逆變器 SiC 功率模塊 芯片
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如何找到一款更適合高壓BMS解決方案？
電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)（BMS）是電動(dòng)汽車中用于監(jiān)測(cè)和管理電池系統(tǒng)性能的關(guān)鍵組件，它有助于平衡電池電量，防止過度充電和過度放電，從而確保鋰離子電池的安全、可靠和有效運(yùn)行，同時(shí)優(yōu)化電池的整體效率和壽命。
2024-06-11
高壓BMS
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MOSFET器件的高壓CV測(cè)試詳解
MOSFET、IGBT和BJT等半導(dǎo)體器件的開關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設(shè)計(jì)者需要知道這些參數(shù)。例如，設(shè)計(jì)一個(gè)高效的開關(guān)電源將要求設(shè)計(jì)者知道設(shè)備的電容，因?yàn)檫@將影響開關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標(biāo)說明書中提供。
2024-06-08
MOSFET 器件 高壓CV IGBT BJT
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單相光伏并網(wǎng)系統(tǒng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡介
在單相小功率光伏并網(wǎng)系統(tǒng)中，有隔離型和非隔離型兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。隔離型有成本高、體積大等諸多缺點(diǎn)，因此非隔離型成為目前主流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，本文主要介紹非隔離型的全橋以及HERIC兩種較為常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
2024-06-08
單相光伏 并網(wǎng)系統(tǒng) 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
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創(chuàng)新音頻解決方案：類比半導(dǎo)體的國產(chǎn)中大功率功放技術(shù)
上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（以下簡稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”）作為國內(nèi)領(lǐng)先的模擬及數(shù)模混合芯片設(shè)計(jì)商，正通過其創(chuàng)新的中大功率模擬/數(shù)字功放技術(shù)，重塑消費(fèi)電子市場(chǎng)中高端音頻產(chǎn)品的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。隨著國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速崛起，類比半導(dǎo)體基于其17年功放研發(fā)經(jīng)驗(yàn)的團(tuán)隊(duì)，另辟賽道，專注中大功率模擬...
2024-06-08
音頻 類比半導(dǎo)體 大功率功放
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運(yùn)用雙MOSFET避免SEU的影響
很久很久以前，在一個(gè)遙遠(yuǎn)的星系中，有某個(gè)東西突然間爆炸了。其造成的結(jié)果是亞原子物質(zhì)的爆發(fā)，而其中的一些物質(zhì)最終在我們這里找到了出路。
2024-06-08
雙MOSFET SEU
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