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高壓交流隔離開(kāi)關(guān)和接地開(kāi)關(guān)選用的若干問(wèn)題
本文分析了高壓交流隔離開(kāi)關(guān)和接地開(kāi)關(guān)選用的若干問(wèn)題，包括：隔離開(kāi)關(guān)開(kāi)合母線轉(zhuǎn)換電流、接地開(kāi)關(guān)開(kāi)合感應(yīng)電流、單柱垂直斷口隔離開(kāi)關(guān)的額定接觸區(qū)、接地開(kāi)關(guān)的短路持續(xù)時(shí)間和隔離開(kāi)關(guān)的過(guò)載能力、接地開(kāi)關(guān)的長(zhǎng)期通流問(wèn)題、絕緣子爬電距離是否需要進(jìn)行海拔修正的問(wèn)題。
2008-10-23
隔離開(kāi)關(guān) 接地開(kāi)關(guān) 轉(zhuǎn)換電流 隔離電流 接觸區(qū)
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對(duì)于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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是否所有的ESD保護(hù)二極管都有相同的保護(hù)效果？
本文針對(duì)目前所面臨的找到一種具有成本效益的ESD解決方案的挑戰(zhàn)，分析了ESD方面所需考慮的因素，提出了將電壓箝位到更低水平的最優(yōu)方案，接著并比較幾種保護(hù)器件得出安森美的保護(hù)器件更具競(jìng)爭(zhēng)性和優(yōu)越性。
2008-10-23
ESD 保護(hù)二極管 箝位電壓
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過(guò)壓保護(hù)的備用電路: 技巧和竅門(mén)
過(guò)壓保護(hù)(OVP)器件用于保護(hù)后續(xù)電路免受甩負(fù)載或瞬間高壓的破壞，在某些特定的應(yīng)用中，基本的過(guò)壓保護(hù)電路不足以勝任器件保護(hù)的要求，通常有以下兩種需求。第一，電路的最大輸入電壓可能增大；第二，適當(dāng)修改電路，可以在發(fā)生過(guò)壓或欠壓時(shí)利用輸出電容儲(chǔ)能保持能量。本文討論如何針對(duì)這兩種需求修改...
2008-10-23
過(guò)壓保護(hù) 電路 MOSFET
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印制電路板上的電磁干擾及抑制
本文主要討論在印制電路板的布線設(shè)計(jì)中電源布線和信號(hào)布線的電磁干擾問(wèn)題，并提出解決途徑：抑制電源布線產(chǎn)生的干擾的主要方法有電源平面法、共地平面法和電源母線法；抑制信號(hào)布線產(chǎn)生的干擾的主要方法有增大信號(hào)線之間的距離，減小信號(hào)線與地之間的距離；同時(shí)，設(shè)計(jì)印制電路板還應(yīng)遵循一定的抗干...
2008-10-23
印制電路板 電磁干擾 抑制
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靜電在LED顯示屏生產(chǎn)過(guò)程中的危害及防護(hù)措施
如何規(guī)范化生產(chǎn)，如何生產(chǎn)出真正意義上的低衰減、長(zhǎng)壽命的 LED顯示屏產(chǎn)品？本文僅從LED顯示屏生產(chǎn)過(guò)程的靜電防護(hù)角度，討論該過(guò)程靜電帶來(lái)的危害及其防護(hù)方法。
2008-10-23
靜電 LED 防護(hù)措施 危害
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抑制耳機(jī)放大器RF噪音的兩種方法
本文主要討論抑制耳機(jī)放大器RF噪音的方法，提出了兩種方法：通過(guò)屏蔽并縮短輸入信號(hào)引線降低輸入放大器的RF能量；選擇具有RF抑制功能的放大器，使耦合到輸出端的噪聲最小。并以GSM手機(jī)為例具體闡釋了這兩種方法的實(shí)現(xiàn)。
2008-10-23
抑制RF噪音 音頻放大器 屏蔽
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