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富昌電子榮獲Diodes授予的“2024年度亞洲最佳分銷商獎(jiǎng)”
中國(guó)上海–2025年3月13日–近日,全球知名的電子元器件授權(quán)代理商富昌電子(Future Electronics)榮獲Diodes 公司頒發(fā)的“2024年度亞洲最佳分銷商獎(jiǎng)(Asia Best Distributor Award 2024)”。該獎(jiǎng)項(xiàng)旨在表彰富昌電子在2024年度亞洲市場(chǎng)出色的業(yè)績(jī)表現(xiàn),及雙方緊密的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。
2025-03-18
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鎧俠參展CFMS 2025:布局下一代先進(jìn)存儲(chǔ),持續(xù)助力高能AI
3月12日,全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案提供商鎧俠參展中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)CFMS 2025/MemoryS 2025,在現(xiàn)場(chǎng)針對(duì)人工智能 AI應(yīng)用提出了全新的存儲(chǔ)解決方案,并預(yù)告了全新一代的QLC企業(yè)級(jí)與數(shù)據(jù)中心級(jí)SSD,以及下一代BiCS FLASH?,為云端計(jì)算、大模型加速,提供了高效、可靠的先進(jìn)存儲(chǔ)解決方案。
2025-03-18
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第17講:SiC MOSFET的靜態(tài)特性
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過(guò)900V,而SiC擁有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng),在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度,從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻,使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。
2025-03-17
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工業(yè)應(yīng)用中輔助電源技術(shù)綜述
本文介紹了工業(yè)應(yīng)用輔助電源解決方案,包括兩級(jí)式輔助電源架構(gòu)和各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。第一級(jí)輔助電源通常使用反激拓?fù)?,英飛凌的1700V CoolSiC? SiC MOSFET可以幫助客戶簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。第二級(jí)輔助電源可以使用LLC、推挽式或全橋式拓?fù)?,英飛凌的2EP1XXR系列驅(qū)動(dòng)IC可以提供簡(jiǎn)單靈活的解決方案。
2025-03-17
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為什么碳化硅Cascode JFET?可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過(guò)渡?
電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)(圖1),這使其在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。
2025-03-11
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貿(mào)澤電子與NXP聯(lián)合推出全新電子書,提供有關(guān)電動(dòng)汽車電機(jī)控制的專業(yè)觀點(diǎn)
專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子貿(mào)澤宣布與NXP Semiconductors合作推出全新電子書,探討工業(yè)和汽車等系統(tǒng)的電氣化對(duì)于電機(jī)控制技術(shù)進(jìn)步和創(chuàng)新的高依賴度。高效的電機(jī)控制系統(tǒng)對(duì)于實(shí)現(xiàn)出色的電動(dòng)汽車 (EV) 性能至關(guān)重要。NXP的新電子書展示了設(shè)計(jì)工程師如何減少功率損耗并改善系統(tǒng)效率,以提高電動(dòng)汽車的可靠性、行駛里程和安全性。
2025-03-11
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SiC JFET并聯(lián)的五大難題,破解方法終于來(lái)了!
隨著Al 相關(guān)的工作負(fù)載日益復(fù)雜且能耗不斷提升,能夠兼具高能效與高壓處理能力的可靠硅碳化物(SiC)JFET 變得愈發(fā)關(guān)鍵。在此背景下,安森美(onsemi)的SiC Cascode JFET技術(shù)成為了焦點(diǎn)。本文將深入剖析安森美SiC Cascode JFET,涵蓋Cascode(共源共柵)結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵參數(shù)解析、并聯(lián)振蕩現(xiàn)象的探討,以及實(shí)用的設(shè)計(jì)指導(dǎo)原則。接下來(lái),文章將進(jìn)一步闡述在并聯(lián)應(yīng)用中面臨的挑戰(zhàn)。
2025-03-10
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2025上海慕展:安芯易攜萬(wàn)元“芯”意而來(lái),亮點(diǎn)搶先看!
15場(chǎng)科技論壇,讓展會(huì)更有“深”度 作為全球電子科技領(lǐng)域的頂級(jí)展會(huì)之一,慕尼黑上海電子展(electronica China)已走過(guò)20年的輝煌歷程,它不僅是電子科技創(chuàng)新與技術(shù)交流的頂級(jí)平臺(tái),更是匯聚全球智慧力量的科技盛宴。
2025-03-06
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安森美擬以每股35.10美元現(xiàn)金收購(gòu)Allegro MicroSystems
安森美于美國(guó)時(shí)間3月5日披露了向Allegro MicroSystems, Inc. (以下簡(jiǎn)稱"Allegro") (美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ALGM)董事會(huì)提交的收購(gòu)提案的詳情,以每股35.10美元的現(xiàn)金收購(gòu)Allegro的所有已發(fā)行普通股,按完全稀釋后的股本計(jì)算,對(duì)應(yīng)的隱含企業(yè)價(jià)值為69億美元。
2025-03-06
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SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘,這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”!
隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來(lái)越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET,內(nèi)容包括Cascode(共源共柵)關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析,以及設(shè)計(jì)指南。本文為第一篇,聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識(shí)和并聯(lián)設(shè)計(jì)。
2025-03-06
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第16講:SiC SBD的特性
SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn),可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用,本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性。
2025-03-03
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三安與意法半導(dǎo)體重慶8英寸碳化硅晶圓合資廠正式通線
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) ,和中國(guó)化合物半導(dǎo)體龍頭企業(yè)(涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產(chǎn)品)三安光電(上海證券交易所代碼:600703)今日宣布,雙方在重慶設(shè)立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(即“安意法半導(dǎo)體有限公司”,以下簡(jiǎn)稱安意法)現(xiàn)已正式通線。這一里程碑標(biāo)志著意法半導(dǎo)體和三安正朝著于2025年年底前實(shí)現(xiàn)在中國(guó)本地生產(chǎn)8英寸碳化硅這一目標(biāo)穩(wěn)步邁進(jìn),屆時(shí)將更好地滿足中國(guó)新能源汽車、工業(yè)電源及能源等市場(chǎng)對(duì)碳化硅日益增長(zhǎng)的需求。
2025-02-27
- 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)演進(jìn):從基礎(chǔ)驅(qū)動(dòng)到智能閉環(huán)控制
- 低空經(jīng)濟(jì)引爆千萬(wàn)億賽道!2025無(wú)人機(jī)市場(chǎng)三大顛覆性趨勢(shì)
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