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晶閘管和IGBT功率開關(guān)器件的保護(hù)作用對比
由于晶閘管自身特性參數(shù)的原因，其極限工作頻率一般限制在8KC以下，對于更高頻率的使用要求，目前國內(nèi)已經(jīng)出現(xiàn)采用IGBT作為功率開關(guān)元件的超音頻電源。目前的使用情況看，采用IGBT作為開關(guān)元件的靜止變頻電源的故障率明顯較低，元器件損壞的較少，維修費(fèi)用也較低，是靜止變頻技術(shù)新的發(fā)展方向。
2013-01-08
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變頻器
變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。我們現(xiàn)在使用的變頻器主要采用交—直—交方式（VVVF變頻或矢量控制變頻），先把工頻交流電源通過整流器轉(zhuǎn)換成直流電源，然后再把直流電源轉(zhuǎn)換成頻率、電壓均可控制的交流電源以供給電動機(jī)。變頻器的電路一般由整流、中間直流環(huán)節(jié)、逆變和控制4個部分組成。整流部分為三相橋式不可控整流器，逆變部分為IGBT三相橋式逆變器，且輸出為PWM波形，中間直流環(huán)節(jié)為濾波、直流儲能和緩沖無功功率。
2013-01-07
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IGBT產(chǎn)品市場現(xiàn)狀分析
雖然長期來看，IGBT的增長前景很樂觀，是一個值得期待的市場，可是到目前為止IGBT的核心技術(shù)和產(chǎn)業(yè)為大多數(shù)歐美IDM半導(dǎo)體廠商所掌控，本土廠商想要打破國外企業(yè)對國內(nèi)IGBT市場壟斷，還需要很多努力。
2013-01-06
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從過流、過壓、過熱三方面講述IGBT保護(hù)電路如何設(shè)計(jì)
本文從過流保護(hù)、過壓保護(hù)與過熱保護(hù)三個方面，論述了IGBT的相關(guān)問題，并從實(shí)際應(yīng)用中總結(jié)出各種保護(hù)方法，這些方法實(shí)用性強(qiáng)，保護(hù)效果好，是IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)必備知識。
2013-01-05
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能實(shí)現(xiàn)調(diào)頻調(diào)幅輸出的串聯(lián)諧振式電源
本文介紹了用正弦脈寬調(diào)制（SPWM）技術(shù)實(shí)現(xiàn)調(diào)頻調(diào)幅輸出的串聯(lián)諧振式電源的工作原理。該電源采用了IGBT模塊構(gòu)成的半橋逆變電路，它具有IGBT驅(qū)動、過壓、過流、過熱保護(hù)及故障鎖定功能。
2012-12-13
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大功率開關(guān)電源IGBT短路保護(hù)的三種設(shè)計(jì)方法
開關(guān)電源同其它電子裝置一樣，短路是最嚴(yán)重的故障，短路保護(hù)是否可靠，是影響開關(guān)電源可靠性的重要因素。而大功率的開關(guān)電源大多都是用的IGBT這種電力電子開關(guān)元器件，要防止整個開關(guān)電源的的短路，那就要在IGBT短路保護(hù)安全的情況下保證開關(guān)電源的正常運(yùn)作。
2012-12-02
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1200V IGBT技術(shù)平臺，提供適合工業(yè)應(yīng)用的基準(zhǔn)效率
IR 推出第八代 1200V IGBT技術(shù)平臺，新技術(shù)針對電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用提供更好的軟關(guān)斷功能，有助于把dv/dt降到最低，從而減少電磁干擾、抑制過壓，提供適合工業(yè)應(yīng)用的基準(zhǔn)效率和耐用性。
2012-11-20
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安森美推出系列的高性能工業(yè)應(yīng)用IC新產(chǎn)品
安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充高性能工業(yè)IC的廣泛產(chǎn)品陣容，先進(jìn)全新的VLDO、GFI控制器、KNX收發(fā)器及IGBT方案彰顯公司的產(chǎn)品陣容實(shí)力和深度。高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體持續(xù)推動高性能工業(yè)集成電路(IC)方案的電源管理。最新器件提供高度強(qiáng)固性，應(yīng)用于寬工作溫度范圍，性能突出，同時以極低能耗工作。
2012-11-16
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利用DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)設(shè)計(jì)大功率直流電源
隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，很多場合需要大功率大電流的直流電源。本文基于IGBT器件，利用DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)設(shè)計(jì)大功率直流電源。該電源可用作EAST托卡馬克裝置中的大功率垂直位移快速控制直流電源。對該電源裝置進(jìn)行了仿真和實(shí)驗(yàn)，獲得了較為滿意的動靜態(tài)性能。
2012-11-12
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9款高能效溝槽型場截止IGBT
安森美擴(kuò)充高性能溝槽型場截止IGBT陣容，推出9款新的高能效方案。這些新器件提升系統(tǒng)總體開關(guān)能效，降低功率耗散，且提升系統(tǒng)可靠性，能為工程師在應(yīng)用其電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)時提供更豐富的選擇。
2012-11-11
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安森美半導(dǎo)體新增九種高性能溝槽型場截止IGBT
安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案，提升系統(tǒng)總體開關(guān)能效，降低功率耗散，且提升系統(tǒng)可靠性，這些產(chǎn)品中包含專門針對太陽能及不間斷電源(UPS)應(yīng)用高性能電源轉(zhuǎn)換的器件。
2012-10-25
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英飛凌擴(kuò)展第三代逆導(dǎo)IGBT產(chǎn)品組合
英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其第三代逆導(dǎo) （RC） 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 （IGBT） 產(chǎn)品系列，推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型產(chǎn)品，以因應(yīng)市場對高可靠性的持續(xù)需求。
2012-10-25
- 5mW待機(jī)功耗突圍戰(zhàn)！AC-DC電源待機(jī)功耗逼近物理極限
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