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變頻器用IGBT模塊的故障分析及靜態(tài)測量
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
2022-06-21
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PIM模塊中整流橋的損耗計算
在通用變頻器或伺服驅(qū)動器的設(shè)計中，經(jīng)常會用到英飛凌的PIM模塊（即集成了二極管整流橋+剎車單元+IGBT逆變單元的模塊）。一般情況下PIM模塊中的整流二極管都是根據(jù)后面逆變IGBT的電流等級來合理配置的，且由于其多數(shù)都是連接電網(wǎng)工作于工頻50或60Hz工況，芯片結(jié)溫波動很小，因此其通常不會是IGBT PIM模塊是否適用的瓶頸，所以一般在器件選型時也不會特意去計算或仿真PIM模塊中整流橋部分的損耗。但有些客戶的機型要滿足一些特殊工況，或需要考慮模塊的整體損耗來做系統(tǒng)的熱設(shè)計，這時就需要計算整流橋的損耗。而目前我們在線仿真工具IPOSIM并不支持，所以在此介紹一種變通的計算方法，以備您不時之需。
2022-06-17
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功率半導(dǎo)體冷知識之二：IGBT短路時的損耗
IGBT主要用于電機驅(qū)動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現(xiàn)。
2022-06-17
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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。
2022-06-15
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保護IGBT和MOSFET免受ESD損壞
功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標(biāo)志。然而，越熟悉越容易大意。從統(tǒng)計的角度來看，單個MOSFET不太可能被靜電放電（ESD)損壞。然而，在處理成千上萬個MOSFET時，極小的故障都可能帶來極大的影響。
2022-06-13
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魚與熊掌皆可得？當(dāng)SiC MOSFET遇上2L-SRC
事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開關(guān)速度，相比IGBT可明顯降低器件開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率和功率密度；但是高速的開關(guān)切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控制領(lǐng)域的電機絕緣和EMI設(shè)計都帶來了額外的挑戰(zhàn)。
2022-06-07
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IGBT窄脈沖現(xiàn)象解讀
IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制信號驅(qū)動時，時常會無奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開關(guān)續(xù)流時反向恢復(fù)特性也會變快。
2022-06-03
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如何計算驅(qū)動芯片的desat保護時間
SiC MOSFET短路時間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiC? MOSFET單管保證3us的短路時間，Easy模塊保證2us的短路時間，因此要求驅(qū)動電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天，我們來具體看一下這個短而精的程度。
2022-06-02
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汽車級IGBT/SiC模塊驅(qū)動器應(yīng)該怎么用？首款唯一車硅認(rèn)證柵極驅(qū)動板簡化設(shè)計
就在德國紐倫堡PCIM Europe展會的最后一天，Power Integrations（PI）在線上舉辦新品溝通會，PI資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan講解了一個汽車級IGBT/SiC（碳化硅）模塊驅(qū)動器系列產(chǎn)品——適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列柵極驅(qū)動板。
2022-06-02
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Tvj - IGBT元宇宙中的結(jié)溫
在IGBT應(yīng)用中，結(jié)溫是經(jīng)常使用的一個參數(shù)，大部分讀者應(yīng)該都很熟悉這個概念，但是這和元宇宙有什么關(guān)系呢？
2022-05-25
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IGBT門極驅(qū)動到底要不要負(fù)壓
先說結(jié)論，如果條件允許還是很建議使用負(fù)壓作為IGBT關(guān)斷的。但是從成本和設(shè)計的復(fù)雜度來說，很多工程師客戶希望不要使用負(fù)壓。下面我們從門極寄生導(dǎo)通現(xiàn)象來看這個問題。
2022-05-23
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挑選一款合適的汽車級IGBT模塊： 解讀國內(nèi)首部車用IGBT標(biāo)準(zhǔn)
隨著新能源汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展，越來越多的IGBT產(chǎn)品應(yīng)運而生。汽車零部件時常暴露在惡劣的氣候條件下，因此必須保證汽車級產(chǎn)品在高溫、高濕、高壓條件下可靠運行。如何選擇合適的汽車級半導(dǎo)體器件，對于Tier1和OEM的產(chǎn)品可靠性及其成本至關(guān)重要。本文將從汽車行業(yè)的IGBT模塊環(huán)境試驗的要求出發(fā)，介紹汽車級功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊需要滿足的條件。
2022-05-09
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