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采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模塊性能解析
半導體市場不斷推動IGBT技術(shù)實現(xiàn)更高功率密度、魯棒性和性能水平。對于新一代IGBT而言，始終需要能夠輕松融入設(shè)計并在不同應用中表現(xiàn)良好的產(chǎn)品。IGBT應能助力打造出擁有優(yōu)化系統(tǒng)成本的可擴展逆變器產(chǎn)品組合。本文通過仿真和應用測試，對英飛凌全新TRENCHSTOP? 1700V IGBT7技術(shù)以及對應的同類最佳90...
2022-09-21
IGBT7 模塊 性能
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這個技術(shù)，改善你的電源系統(tǒng)設(shè)計！
隨著技術(shù)的進步，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，因此這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩(wěn)壓器模塊(VRM)提供。
2022-09-20
電源系統(tǒng) 設(shè)計 ADI
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電動汽車充電的三大設(shè)計注意事項
用于商業(yè)和住宅用途的典型電動汽車 (EV) 充電站設(shè)計包括電能計量、剩余電流檢測（交流和直流）、隔離安全合規(guī)性、繼電器和接觸器，還具有驅(qū)動功能、雙向通信以及服務和用戶界面。雖然充電站的目標是高效地將電力傳輸?shù)杰囕v，但實現(xiàn)電力傳輸是其最初的功能。
2022-09-20
電動汽車 充電 設(shè)計
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關(guān)斷柵極電壓欠沖對SiC MOSFET導通行為的影響
本文探討了關(guān)斷時發(fā)生的柵極電壓欠沖對導通開關(guān)特性的影響。這種影響來自于閾值電壓的遲滯效應，指柵偏壓變化時，閾值電壓的完全可恢復瞬態(tài)偏移。閾值電壓的遲滯效應是由半導體-絕緣體界面缺陷中，電荷的短期俘獲和釋放引起的。因此，關(guān)斷時的柵極電壓欠沖會對碳化硅（SiC）MOSFET的開關(guān)特性產(chǎn)生影響。
2022-09-20
柵極電壓欠沖 SiC MOSFET 導通
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打破電動汽車“里程焦慮”，主驅(qū)能效如何升級？
因續(xù)航能力有限而導致的“里程焦慮”是許多消費者采用電動車的一個障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過程的效率是延長車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關(guān)鍵。能效至關(guān)重要的一個關(guān)鍵領(lǐng)域是主驅(qū)逆變器，它將直流電池電壓轉(zhuǎn)換為所需的交流驅(qū)動，以為電機供電。
2022-09-19
電動汽車 主驅(qū)能效
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TO-247封裝碳化硅MOSFET中引入輔助源極管腳的必要性
功率開關(guān)器件（如MOSFET, IGBT）廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)、醫(yī)療、交通、消費等行業(yè)的電力電子設(shè)備中，直接影響著這些電力電子設(shè)備的成本和效率。因此，實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗和更低的導通損耗一直是功率半導體行業(yè)的不懈追求。
2022-09-15
TO-247封裝 MOSFET 源極管腳
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了解為高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設(shè)計供電方案的挑戰(zhàn)
了解為當今高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設(shè)計供電方案的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，是設(shè)計一個滿足每位設(shè)計工程師要求的含LDO (DC-DC, PMIC)的優(yōu)化的電源系統(tǒng)方案的關(guān)鍵要素。電源系統(tǒng)設(shè)計人員需要知道不同應用中的電源方案有何不同，比方說，一個800萬像素（MP）的相機與一個5000萬像素的相機的電源方案有何不同...
2022-09-15
CMOS 圖像傳感器 供電方案
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安森美獲蔚來“守望獎”
中國上?！?022年9月13日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，在蔚來于2022年7月30日舉行的合作伙伴大會上獲其授予“守望獎”。作為蔚來體系中值得信賴的關(guān)鍵技術(shù)供應商，安森美通過多種渠道確保對蔚來的供貨支持，包括專職負責順利生產(chǎn)和交付流程的小組。
2022-09-14
安森美 蔚來 SiC模塊
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ABB采用IGBT7的新一代高功率密度變頻器ACS180系列
變頻器是各行業(yè)中至關(guān)重要的節(jié)能設(shè)備，ABB傳動一直致力于用先進的產(chǎn)品和技術(shù)，創(chuàng)新的解決方案為客戶創(chuàng)造價值，提高生產(chǎn)效能水平，助力變頻器產(chǎn)業(yè)升級。
2022-09-14
ABB IGBT7 變頻器
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