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SMM4F:意法半導體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管,新系列產品在三個主要方面提高性能:在小空間內提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現(xiàn)低損耗、結溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費電子
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TR8系列:Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容,采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR(在100 kHz和47 μF條件下),而采用0603封裝的具有業(yè)內最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
TR8 MicroTan鉭芯片電容
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STGxL6NC60D:意法半導體新款IGBT系列
意法半導體推出一系列新的IGBT,新系列產品采用高效的壽命控制工藝,有效降低了關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內,應用的整體功率可望提高到一個新的水平,遠勝標準技術的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關電源
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STGxL6NC60D:意法半導體新款IGBT系列
意法半導體推出一系列新的IGBT,新系列產品采用高效的壽命控制工藝,有效降低了關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內,應用的整體功率可望提高到一個新的水平,遠勝標準技術的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關電源
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ACAS 0612 AT:Vishay新型汽車精密薄膜芯片電阻陣列
日前,Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜芯片電阻陣列,該器件已通過AEC-Q200測試,并具有1000V額定電壓的ESD穩(wěn)定性。該器件經(jīng)優(yōu)化可滿足汽車行業(yè)對溫度和濕度的新要求,同時可為工業(yè)、電信及消費電子提供較高的重復性和穩(wěn)定的性能。
2008-05-09
ACAS 0612 AT 薄膜芯片電阻陣列
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VLRE31/VLRK31系列:Vishay新型高亮度SMD LED
為滿足日益增長的對AlInGaP技術的需求,日前,Vishay宣布推出兩種新系列的、采用倒立鷗翼式封裝的黃色和紅色SMD LED,這兩種系列的SMD LED具有高發(fā)光強度和低功耗的特點。
2008-05-09
VLRE31 VLRK31 LED
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VAR:Vishay 新型超高精度、高分辯率 Z 箔音頻電阻
日前,Vishay宣布推出新型超高精度 Z 箔音頻電阻,該電阻采取特殊設計,可增加信號清晰度。當溫度范圍在 -55°C 至 +125°C 時,該器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時 5ppm 的出色PCR(自身散熱產生的 ?R)、0.01% 的絕對容差且電流噪聲小于 -40dB。
2008-05-07
VAR Z 箔音頻電阻
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NBXxxxx:安森美高性能單頻和雙頻晶體振蕩器模塊
安森美半導體擴充了高性能時鐘和數(shù)據(jù)管理產品系列,推出九款基于鎖相環(huán)(PLL)的新PureEdge時鐘模塊,替代晶體振蕩器(XO)。NBXxxxx系列非常適用于高速網(wǎng)絡、電信和高端計算應用。
2008-05-07
PLL PureEdge NBXxxxx 通信應用 振蕩器
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NBXxxxx:安森美高性能單頻和雙頻晶體振蕩器模塊
安森美半導體擴充了高性能時鐘和數(shù)據(jù)管理產品系列,推出九款基于鎖相環(huán)(PLL)的新PureEdge時鐘模塊,替代晶體振蕩器(XO)。NBXxxxx系列非常適用于高速網(wǎng)絡、電信和高端計算應用。
2008-05-07
PLL PureEdge NBXxxxx 通信應用 振蕩器
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