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零漂移霍爾效應(yīng)電流傳感器的分析
德州儀器（TI）推出了新的零漂移霍爾效應(yīng)電流傳感器系列。TMCS1100和TMCS1101傳感器可在一段時(shí)間內(nèi)以及在工作溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)最小漂移和最大精度，同時(shí)通過8引腳SOIC封裝提供可靠的3 kVrms隔離，這對(duì)于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，太陽(yáng)能逆變器等高壓AC或DC系統(tǒng)尤其重要。這些新設(shè)備的準(zhǔn)確性消除了對(duì)設(shè)備進(jìn)行校...
2021-10-09
零漂移霍爾效應(yīng)電流傳感器
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改進(jìn)寬帶多通道系統(tǒng)，集成強(qiáng)化型DSP幫您搞掂~
過去幾十年來(lái)，無(wú)線系統(tǒng)通道數(shù)和帶寬一直穩(wěn)步增長(zhǎng)。對(duì)數(shù)據(jù)速率和系統(tǒng)整體性能的要求成為這些現(xiàn)代電信、雷達(dá)和儀器儀表系統(tǒng)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)因素。但與此同時(shí)，這些要求也加大了電源封裝和系統(tǒng)的復(fù)雜度，使功率密度和組件級(jí)別的功能變得更為重要。
2021-10-09
運(yùn)算放大器 轉(zhuǎn)換速率SR
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什么情況下應(yīng)該從硅片轉(zhuǎn)換到寬帶隙技術(shù)？
自從寬帶隙 (WBG) 器件誕生以來(lái)，為功率變換應(yīng)用帶來(lái)了一股令人激動(dòng)的浪潮。但是，在什么情況下從硅片轉(zhuǎn)換到寬帶隙技術(shù)才有意義呢？迄今為止，屏蔽柵極 MOSFET、超級(jí)結(jié)器件和 IGBT等基于硅的功率器件已經(jīng)很好地在業(yè)界得到大規(guī)模應(yīng)用。這些器件在品質(zhì)因數(shù) (FoM) 方面不斷改進(jìn)，加上在拓?fù)浼軜?gòu)和開關(guān)...
2021-09-15
硅片 寬帶隙技術(shù)
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雙向功率轉(zhuǎn)換器受益于 CoolSiCTM MOSFET
雙向功率轉(zhuǎn)換器是可再生能源和電動(dòng)汽車充電器中的關(guān)鍵部件。碳化硅開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)先前技術(shù)無(wú)法達(dá)到的效率水平。
2021-09-15
雙向功率轉(zhuǎn)換器 MOSFET
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運(yùn)算放大器的輸入偏置電壓
輸入偏置電壓是指有差分輸入電路的運(yùn)算放大器或比較器帶有的誤差電壓。理想運(yùn)算放大器或比較器的偏置電壓為0V。
2021-09-14
運(yùn)算放大器 輸入偏置電壓
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陶瓷電容老化，容值如何估算？關(guān)鍵是要理解“十倍時(shí)”的概念
隨著時(shí)間的推移，陶瓷電容會(huì)因結(jié)構(gòu)的變化而失去一部分容值。這種損耗是無(wú)法避免的，但可以測(cè)量并確定。原廠通常會(huì)使用十倍時(shí)作為這一損失的計(jì)量單位。
2021-09-13
陶瓷電容 十倍時(shí)
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高精度授時(shí)如何改變5G基礎(chǔ)設(shè)施游戲規(guī)則
作為連續(xù)4年被寫入中國(guó)政府工作報(bào)告、并領(lǐng)銜“新基建”的重要基礎(chǔ)科技，5G在擴(kuò)展連接、帶動(dòng)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)、改善人們生活質(zhì)量以及加速相關(guān)產(chǎn)業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型升級(jí)等各個(gè)方面的重要性不言而喻。
2021-09-13
高精度授時(shí) 5G基礎(chǔ)設(shè)施 游戲規(guī)則
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運(yùn)算放大器的噪聲特性
近年來(lái)，已經(jīng)推出了很多抗雜訊運(yùn)算放大器，市場(chǎng)對(duì)這類產(chǎn)品的需求也與日俱增。在這里介紹一下這些噪聲的定義。
2021-09-07
運(yùn)算放大器 噪聲
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高速SerDes均衡之FFE
高速接口SerDes為實(shí)現(xiàn)芯片間信號(hào)的有線傳輸，需要完成數(shù)字到模擬的轉(zhuǎn)化，經(jīng)過通道傳輸后，再將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)回?cái)?shù)字信號(hào)。并保證傳輸過程保持比較低的誤碼率。本期，結(jié)合信道的特性，我們來(lái)了解一下SerDes的發(fā)送端TX的均衡原理。
2021-09-07
高速接口 均衡原理
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