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展會(huì)里面談合作，產(chǎn)業(yè)鏈中找伙伴 | 2025世界電源產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)助力企業(yè)發(fā)展
當(dāng)電源技術(shù)成為數(shù)字時(shí)代的能量神經(jīng)中樞,從芯片級(jí)元件到兆瓦級(jí)設(shè)備的每一次迭代,都在重塑科技產(chǎn)業(yè)的底層邏輯。在5G通信、人工智能、新能源汽車(chē)等技術(shù)爆發(fā)的今天,電源系統(tǒng)已不僅是能源轉(zhuǎn)換載體,更成為融合高效節(jié)能、智能控制、綠色環(huán)保的科技集成平臺(tái)。
2025-06-12
2025世界電源產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)
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多通道同步驅(qū)動(dòng)技術(shù)中的死區(qū)時(shí)間納米級(jí)調(diào)控是如何具體實(shí)現(xiàn)的？
在電力電子系統(tǒng)中，多通道同步驅(qū)動(dòng)的死區(qū)時(shí)間直接影響系統(tǒng)效率和安全性。傳統(tǒng)方案常面臨時(shí)序誤差累積（±10ns以上）、開(kāi)關(guān)損耗高（占系統(tǒng)總損耗15%-25%）和模式切換不靈活等痛點(diǎn)。納米級(jí)死區(qū)調(diào)控技術(shù)通過(guò)硬件架構(gòu)革新與智能算法協(xié)同，將控制精度提升至亞納秒級(jí)，為新能源汽車(chē)、高頻電源等場(chǎng)景提供關(guān)...
2025-06-12
多通道同步驅(qū)動(dòng)技術(shù) 納米級(jí)調(diào)控
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集成化柵極驅(qū)動(dòng)IC對(duì)多電平拓?fù)潆妷壕獾钠平饴窂?/span>
在新能源汽車(chē)主驅(qū)模塊（如800V平臺(tái)）中，多電平拓?fù)渫ㄟ^(guò)串聯(lián)開(kāi)關(guān)器件實(shí)現(xiàn)高壓階梯化處理，但分立式驅(qū)動(dòng)方案面臨兩大核心挑戰(zhàn)。
2025-06-12
柵極驅(qū)動(dòng)IC 多電平拓?fù)?nbsp; 電壓均衡
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不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
氮化鎵（GaN）器件因其高開(kāi)關(guān)頻率、低導(dǎo)通損耗的特性，正在快速滲透消費(fèi)電子、汽車(chē)電驅(qū)和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。然而，不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)GaN器件的需求呈現(xiàn)顯著差異：例如快充領(lǐng)域的LLC諧振拓?fù)湫枰哳l率下的電磁干擾控制，而車(chē)載雙向逆變器更關(guān)注動(dòng)態(tài)電阻與耐壓性能。本文將深入分析半橋拓?fù)?、雙向逆變拓?fù)?..
2025-06-12
氮化鎵 GaN器件 消費(fèi)電子 汽車(chē)電驅(qū) 數(shù)據(jù)中心 撲結(jié)構(gòu)
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如何解決在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
在開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）中使用氮化鎵（GaN）技術(shù)時(shí)，盡管其在高功率密度、高頻開(kāi)關(guān)和低功耗方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，但也面臨一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。
2025-06-12
氮化鎵技術(shù) 開(kāi)關(guān)模式電源
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7月9-11日相約成都！中國(guó)西部電博會(huì)觀眾登記火熱開(kāi)啟
被譽(yù)為中國(guó)電子信息行業(yè)"風(fēng)向標(biāo)"的中國(guó)西部電子信息博覽會(huì)將于7月9日至11日在成都世紀(jì)城新國(guó)際會(huì)展中心舉辦，來(lái)自全球電子信息領(lǐng)域的500余家企業(yè)將齊聚盛會(huì)。展會(huì)同期，還將舉辦15場(chǎng)以上論壇活動(dòng)，全面聚焦行業(yè)熱點(diǎn)領(lǐng)航電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展，"天府之國(guó)"成都誠(chéng)邀全球電子信息產(chǎn)業(yè)人士共襄盛會(huì)。
2025-06-11
西部電博會(huì)
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高頻時(shí)代的電源革命：GaN技術(shù)如何顛覆傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)電源架構(gòu)？
在電力電子系統(tǒng)對(duì)能效和功率密度要求日益嚴(yán)苛的背景下，氮化鎵（GaN）技術(shù)已成為推動(dòng)開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）發(fā)展的核心動(dòng)力。相較于傳統(tǒng)硅基器件，GaN憑借其3.4eV的寬禁帶特性、更高的電子遷移率（990-2000 cm2/V·s）及更低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），可將開(kāi)關(guān)頻率提升至兆赫級(jí)，同時(shí)減少30%...
2025-06-11
電力電子系統(tǒng) 氮化鎵 GaN 開(kāi)關(guān)模式電源
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