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英飛凌AURIX TC3x新增支持FreeRTOS
全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的AURIX? TC3x微控制器（MCU）系列新增了對FreeRTOS的支持。
2024-12-03
英飛凌
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【“源”察秋毫系列】纖維器件及其陣列電學測試方案詳解
使用電壓表或SMU源表等測試設(shè)備（如數(shù)字多用表的電壓測量檔等），將電壓表的探頭與纖維電學器件的兩個輸出電極相連接，確保連接牢固且接觸良好，以減少接觸電阻對測量結(jié)果的影響。當纖維電學器件處于工作狀態(tài)（如受到特定刺激，像壓電纖維器件受到外力作用、光電器件受到光照等）或在特定的電路環(huán)境...
2024-12-02
纖維器件 電學測試
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借助支持邊緣 AI 的 MCU 優(yōu)化實時控制系統(tǒng)中的系統(tǒng)故障檢測
本文中將討論集成式微控制器 (MCU) 如何增強高壓實時控制系統(tǒng)中的故障檢測功能。此類 MCU 使用集成神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理單元 (NPU) 運行卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) (CNN) 模型，幫助在監(jiān)測系統(tǒng)故障時降低延遲和功耗。通過將邊緣 AI 功能集成到用于管理實時控制的同一 MCU 中，可以幫助您優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計，同時增強整體性能。
2024-12-02
邊緣 AI MCU 實時控制系統(tǒng)
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第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層
SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現(xiàn)產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應用于SiC器件時必須考慮到這一點。
2024-12-02
SiC 柵極絕緣層
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優(yōu)化簡易PCB電路板的大規(guī)模測試，提高生產(chǎn)效率
隨著各行業(yè)對高效完成大批量生產(chǎn)的需求日益增強，構(gòu)建穩(wěn)健的測試策略也變得至關(guān)重要。此篇是德科技署名文章旨在深入探討簡易電路板生產(chǎn)制造領(lǐng)域中適用的創(chuàng)新測試方法，力求在保障質(zhì)量的前提下，實現(xiàn)生產(chǎn)效率的最優(yōu)化。
2024-12-02
PCB 電路板
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貿(mào)澤推出RISC-V技術(shù)資源中心 探索開源的未來
貿(mào)澤電子推出內(nèi)容豐富的RISC-V資源中心，為設(shè)計工程師提供新技術(shù)和新應用的相關(guān)知識。隨著開源架構(gòu)日益普及，RISC-V從眾多選項中脫穎而出，成為開發(fā)未來先進軟硬件的新途徑。從智能手機和IoT設(shè)備，再到高性能計算，RISC-V正在各行各業(yè)中發(fā)展成為更主流的指令集架構(gòu) (ISA)。
2024-12-02
貿(mào)澤 RISC-V技術(shù)
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智能無線傳感器設(shè)計完全指南
本文概述了幾種無線標準，并評估了低功耗藍牙? (BLE)、SmartMesh （基于IEEE 802.15.4e的6LoWPAN）和Thread/Zigbee（基于IEEE 802.15.4 的6LoWPAN）在惡劣工業(yè)射頻環(huán)境中的適用性，文中提供了幾個比較指標，包括功耗、可靠性、安全性和總擁有成本。SmartMesh時間同步消耗的功耗較低，并且SmartMesh...
2024-11-29
智能無線傳感器
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