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TRITIUM DUO? ：TRIQUINT 推出最小尺寸功率放大器解決方案
技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體公司近日宣布推出業(yè)內(nèi)最小針對3G和4G智能手機的雙頻帶功放雙工器（PAD）。該新型 TRITIUM Duo? 系列在單一緊湊模塊中結(jié)合了兩個特定頻帶的功率放大器（PA）和雙工器，有效地替代了多達(dá)12個分立器件。
2012-02-27
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HFP：TE的推出用于GSM850/900電源切換RF開關(guān)
TE Connectivity公司推出了用于GSM850/900的HFP開關(guān)。第三代信息和信號技術(shù)需要新的接收RF（射頻）信號的電路開關(guān)。GSM（全球移動通信系統(tǒng)）是蜂窩網(wǎng)絡(luò)使用最廣泛的頻率范圍。有了HFP，TE可直接滿足GSM850/900應(yīng)用中從824到960MHz頻段的電源切換RF開關(guān)的需求。
2012-02-24
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中國物聯(lián)網(wǎng)或難達(dá)到十二五規(guī)劃目標(biāo)
DIGITIMES指出，由于起步較歐美國家晚，中國大陸物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展不管在技術(shù)、標(biāo)準(zhǔn)制訂、產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈，或應(yīng)用發(fā)展上，都落后國際許多。為力圖超越國際廠商在大陸物聯(lián)網(wǎng)市場的主導(dǎo)地位，大陸十二五規(guī)劃將物聯(lián)網(wǎng)列為7大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，而政策具體執(zhí)行方式與目標(biāo)，已經(jīng)在2011年12月7日工信部公布的《物聯(lián)網(wǎng)十二五發(fā)展規(guī)劃》明文指示。
2012-02-24
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LCD事業(yè)持續(xù)虧損及OLED商機
近日，三星電子(Samsung Electronics)召開董事會，決定將LCD事業(yè)獨立出去(所謂的「分社化」)，成立暫名為Samsung Display新公司。DIGITIMES Research資深分析師兼副主任黃銘章分析，該事業(yè)分社化計劃預(yù)計在3月召開的三星電子股東會中予以確認(rèn)。待4月初三星電子LCD事業(yè)正式「分社化」后，下一步即是將暫名為Samsung Display的新公司與SMD合并，完成顯示面板事業(yè)的整合。
2012-02-22
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IMF：TE推出用于零瓦電路的靈敏雙穩(wěn)態(tài)小尺寸繼電器
TE Connectivity 公司推出用于零瓦電路的IMF繼電器。如果沒有像移動手機連接器之類的終端設(shè)備，零瓦充電器就會停止從電網(wǎng)中取電， TE的IMF是專為這樣的應(yīng)用而設(shè)計的，其設(shè)計是對現(xiàn)有AXICOM IM繼電器產(chǎn)品線的補充。
2012-02-22
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DIGITIMES Research：TSV 3D IC面臨諸多挑戰(zhàn)
TSV 3D IC技術(shù)雖早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技術(shù)水準(zhǔn)皆尚未成熟情況下，TSV 3D IC技術(shù)發(fā)展速度可說是相當(dāng)緩慢，DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，直至2007年東芝(Toshiba)將鏡頭與CMOS Image Sensor以TSV 3D IC技術(shù)加以堆棧推出體積更小的鏡頭模塊后，才正式揭開TSV 3D IC實用化的序幕。
2012-02-22
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Digi-Key與Ramtron 簽署全球經(jīng)銷協(xié)議
Digi-Key 公司是一家知名的電子元件經(jīng)銷商，被設(shè)計師們譽為業(yè)內(nèi)最廣泛的電子元件庫，提供立即發(fā)貨服務(wù)，日前宣布已經(jīng)與 Ramtron International Corporation簽署全球經(jīng)銷協(xié)議。
2012-02-20
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高性能SERDES及其在CPRI接口的應(yīng)用分析
TI（德州儀器）推出一系列高性能的通用SERDES，滿足高帶寬、高性能的應(yīng)用要求，廣泛應(yīng)用在WI系統(tǒng)、接入設(shè)備、傳送網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)通信等通信產(chǎn)品，以及工業(yè)控制系統(tǒng)。本文以TLK3132為例，詳細(xì)介紹了SERDES工作原理和器件特點，并以WI系統(tǒng)中的CPRI應(yīng)用需求為例，提供TLK3132的設(shè)計方法等。
2012-02-20
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UCD3138：德州儀器推出新一代數(shù)字電源控制器
日前，德州儀器 (TI)為優(yōu)化AC/DC 及隔離式 DC/DC 電源應(yīng)用推出業(yè)界最高集成度且可配置數(shù)字電源管理控制器，進一步壯大其豐富的模擬及數(shù)字電源管理解決方案陣營。該 UCD3138為設(shè)計人員提供創(chuàng)新途徑，可為服務(wù)器、電信整流器以及大功率 DC/DC 模塊中各種電源拓?fù)涮岣唠娫疵芏扰c可靠性。
2012-02-17
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IR3551：IR擴充PowIRstage系列以提升擴展性與性能
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3551以擴充PowIRstage 集成式器件系列，新器件特別適合下一代服務(wù)器、臺式電腦、顯卡及通信系統(tǒng)應(yīng)用。
2012-02-17
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TE推出業(yè)界最低電容硅靜電放電保護器件用于高數(shù)據(jù)速率應(yīng)用
TE Connectivity旗下的一個業(yè)務(wù)部門TE電路保護部日前發(fā)布一個系列8款全新的單/多通道硅靜電放電（SESD）保護器件，可提供市場上最低的電容（雙向：典型值為0.10pF，單向：典型值為 0.20pF）、最高的ESD保護（20kV空氣放電和接觸放電）和最小尺寸封裝（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度為0.31mm）。
2012-02-16
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LM5114：德州儀器新推用于配合電源轉(zhuǎn)換器的低側(cè)柵極驅(qū)動器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動器。LM5114 可驅(qū)動同步整流器與功率因數(shù)轉(zhuǎn)換器等低側(cè)應(yīng)用中的 GaN FET 與 MOSFET。該系列加上 2011 年推出的業(yè)界首款 100 V 半橋 GaN FET 驅(qū)動器 LM5113，可為高性能電信、網(wǎng)絡(luò)以及數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中使用的大功率 GaN FET 與 MOSFET 提供完整的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換驅(qū)動器解決方案。
2012-02-13
- 車輛區(qū)域控制架構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)——趨勢篇
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