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雷諾旗下安培與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，合作開(kāi)發(fā)電動(dòng)汽車電源控制系統(tǒng)
雷諾集團(tuán)旗下純智能電動(dòng)汽車制造公司安培 (Ampere) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 今天宣布了下一步戰(zhàn)略合作行動(dòng)，雷諾集團(tuán)與意法半導(dǎo)體簽署了一份從 2026 年開(kāi)始為安培長(zhǎng)期供應(yīng)碳化硅 (SiC) 功率模塊的供貨協(xié)議，該協(xié)議是雷諾集團(tuán)與意法半導(dǎo)體為安培超高效電動(dòng)汽車逆變器開(kāi)發(fā)電源控制系統(tǒng) (powerbox) 的合作計(jì)劃的一部分。功率模塊是電源控制系統(tǒng)的關(guān)鍵元件，安培和意法半導(dǎo)體合作優(yōu)化功率模塊，確保電驅(qū)系統(tǒng)具有很強(qiáng)的性能和競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)充分發(fā)揮安培在電動(dòng)汽車技術(shù)方面的特長(zhǎng)和意法半導(dǎo)體在先進(jìn)功率元器件研制領(lǐng)域的獨(dú)到之處。
2024-12-05
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面對(duì)電動(dòng)汽車和數(shù)據(jù)中心兩大主力應(yīng)用市場(chǎng)，SiC和GaN該如何發(fā)力？
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料，由于其獨(dú)特性，使其在提高電子設(shè)備的效率和性能方面起著至關(guān)重要的作用，特別是在DC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/AC逆變器領(lǐng)域。
2024-12-04
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貿(mào)澤電子與Analog Devices和Bourns聯(lián)手發(fā)布全新電子書
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢(shì)，以及發(fā)揮這些優(yōu)勢(shì)所面臨的挑戰(zhàn)。
2024-12-03
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第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層
SiC可以通過(guò)與Si類似的熱氧化過(guò)程，在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢(shì)。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應(yīng)用于SiC器件時(shí)必須考慮到這一點(diǎn)。
2024-12-02
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開(kāi)拓創(chuàng)新，引領(lǐng)醫(yī)療植入物與醫(yī)療保健解決方案的發(fā)展潮流
憑借超過(guò)40年的專業(yè)經(jīng)驗(yàn)和卓越的可靠性，瑞士微晶（Micro Crystal）生產(chǎn)的組件能夠滿足苛刻的醫(yī)療應(yīng)用需求。特別是，其推出的首款全陶瓷封裝的實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊（RTC），不僅具有超低時(shí)間保持功耗，還具備防氦特性。
2024-11-28
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貿(mào)澤電子深入探討以人為本的工業(yè)5.0新變革
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 發(fā)布新一期Empowering Innovation Together (EIT) 技術(shù)系列，重點(diǎn)介紹新興的工業(yè)5.0格局。在這個(gè)工業(yè)化的新階段，人類、環(huán)境和社會(huì)等因素都將作為重要的方面，體現(xiàn)在未來(lái)工廠車間的先進(jìn)技術(shù)、機(jī)器人和智能機(jī)器中。
2024-11-28
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創(chuàng)實(shí)技術(shù)electronica 2024首秀：加速國(guó)內(nèi)分銷商海外拓展之路
作為全球規(guī)模最大、最具影響力的電子元器件展會(huì)，備受矚目的2024德國(guó)慕尼黑國(guó)際電子元器件博覽會(huì)（electronica 2024）于2024年11月12-15日，在德國(guó)·慕尼黑展覽中心盛大舉行。科技日新月異，電子元器件作為信息技術(shù)的基石，正再一次引領(lǐng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新一輪變革。時(shí)隔2年之久，疊加全球科技和經(jīng)濟(jì)大變局，展示面積近17,000平方米的electronica 2024，吸引了來(lái)自超50個(gè)國(guó)家和地區(qū)的3,000多家參展廠商齊聚，成為史上規(guī)模之最。
2024-11-26
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（三）——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-25
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意法半導(dǎo)體披露 2027-2028 年財(cái)務(wù)模型及2030年目標(biāo)實(shí)現(xiàn)路徑
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 于前天在法國(guó)巴黎舉辦了資本市場(chǎng)日活動(dòng)。在公司戰(zhàn)略保持不變的框架內(nèi)，意法半導(dǎo)體重申了200億+美元的營(yíng)收目標(biāo)和相關(guān)財(cái)務(wù)模型，預(yù)計(jì)將在 2030 年實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。意法半導(dǎo)體還制定了一個(gè)中期財(cái)務(wù)模型，預(yù)計(jì)2027-2028年?duì)I收約為180 億美元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率在 22% 至 24% 之間。
2024-11-25
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【“源”察秋毫系列】多次循環(huán)雙脈沖測(cè)試應(yīng)用助力功率器件研究及性能評(píng)估
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率器件在電動(dòng)汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。這些應(yīng)用對(duì)功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動(dòng)汽車領(lǐng)域，功率器件需要在高電壓、高電流和高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，這對(duì)器件的耐久性和可靠性是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。同時(shí)，隨著SiC等寬禁帶半導(dǎo)體材料的興起，功率器件的性能得到了顯著提升，但同時(shí)也帶來(lái)了新的測(cè)試需求。如何在保證測(cè)試效率的同時(shí)，準(zhǔn)確評(píng)估這些先進(jìn)功率器件的性能和壽命，成為了行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。
2024-11-23
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-23
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第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過(guò)離子注入，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文?jiǎn)要介紹離子注入工藝及其注意事項(xiàng)。
2024-11-19
- 如何解決在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
- 多通道同步驅(qū)動(dòng)技術(shù)中的死區(qū)時(shí)間納米級(jí)調(diào)控是如何具體實(shí)現(xiàn)的？
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- 減排新突破！意法半導(dǎo)體新加坡工廠冷卻系統(tǒng)升級(jí)，護(hù)航可持續(xù)發(fā)展
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