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使用集成MOSFET限制電流的簡(jiǎn)單方法
電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中，必須防止電流過大，以便為電路提供可靠的保護(hù)。同樣在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過高會(huì)導(dǎo)致電池的壓降太大和下游設(shè)備的供電電壓不足。
2023-04-11
MOSFET 限制電流
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高壓電源對(duì)精度和準(zhǔn)確度的需求
用于高壓應(yīng)用的動(dòng)力導(dǎo)軌通常需要低噪聲和緊負(fù)荷的線路調(diào)節(jié)。本文討論了“精度”和“準(zhǔn)確度”是如何分開考慮的，以及它們?cè)诠β兽D(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中通常是如何實(shí)現(xiàn)的。
2023-04-10
高壓電源 精度 準(zhǔn)確度
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貿(mào)澤加大Panasonic新品備貨力度 涉及多種模塊、電容器及繼電器
2023年4月10日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 備貨Panasonic Corporation各類創(chuàng)新產(chǎn)品。這些產(chǎn)品擁有出色的性能、質(zhì)量和可靠性，為幾乎所有行業(yè)的客戶提供了出色的解決方案，包括汽車、工業(yè)、電源和傳感器系統(tǒng)以及智能家居應(yīng)用。貿(mào)...
2023-04-10
貿(mào)澤電子 Panasonic 繼電器
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如何通過優(yōu)化模塊布局解決芯片縮小帶來(lái)的電氣性能挑戰(zhàn)
在本文的第一部分——《如何通過改進(jìn)IGBT模塊布局來(lái)克服芯片縮小帶來(lái)的熱性能挑戰(zhàn)》，我們提到尺寸和功率往往看起來(lái)像硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時(shí)，你不可避免地會(huì)降低功率。在那篇文章中，我們介紹了芯片縮小對(duì)熱性能的影響，以及如何通過優(yōu)化芯片位置和模塊布局來(lái)減輕這種影響?，F(xiàn)在，讓我們來(lái)看看...
2023-04-10
模塊布局 芯片 電氣性能
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RS-485基礎(chǔ)知識(shí)：何時(shí)需要端接，以及如何正確端接
RS-485 網(wǎng)絡(luò)的許多信號(hào)完整性和通信問題都源于端接，這可能是因?yàn)槿鄙俣私踊蚨私硬徽_。在 RS-485 基礎(chǔ)知識(shí)系列的這一部分，我將討論何時(shí)不需要端接 RS-485 網(wǎng)絡(luò)，以及在需要端接時(shí)如何使用標(biāo)準(zhǔn)（并聯(lián)）端接和交流電 (AC) 端接網(wǎng)絡(luò)。
2023-04-07
RS-485 端接
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不勞開發(fā)固件了！用這個(gè)控制器可實(shí)現(xiàn)USB-C PD 3.0 PPS
更大的顯示屏、更強(qiáng)的性能和更高的數(shù)據(jù)吞吐量是 5G 智能手機(jī)的發(fā)展趨勢(shì)，它推動(dòng)了對(duì)更大電池容量和快速充電能力的需求。如何突破傳統(tǒng)的充電方式是設(shè)計(jì)者面臨的挑戰(zhàn)，因?yàn)閭鹘y(tǒng)充電方式效率低下，而消費(fèi)者對(duì)快速充電的期望又越來(lái)越高，所以在滿足這一需求的功率水平下就可能會(huì)導(dǎo)致發(fā)熱過度。
2023-04-07
控制器 USB-C PD 智能手機(jī)
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如何通過改進(jìn)IGBT模塊布局來(lái)克服芯片縮小帶來(lái)的熱性能挑戰(zhàn)
尺寸和功率往往看起來(lái)像是硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時(shí)--這是我們行業(yè)中不斷強(qiáng)調(diào)的目標(biāo)之一--你不可避免地會(huì)降低功率。但情況一定是這樣嗎？如果將我們的思維從芯片轉(zhuǎn)移到模塊設(shè)計(jì)上，就不需要拋硬幣了。
2023-04-06
IGBT模塊 布局 芯片
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低成本無(wú)刷直流電機(jī)控制MCU
電機(jī)對(duì)能耗的貢獻(xiàn)率在美國(guó)接近50%，因此降低電機(jī)能耗能有效地提高能源利用率，而采用先進(jìn)的微控制器（MCU）技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)電機(jī)控制是一種有效的方法。本文介紹了的電機(jī)控制MCU技術(shù)發(fā)展及其應(yīng)用。
2023-04-04
無(wú)刷直流電機(jī) 電機(jī)控制 MCU
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并聯(lián)穩(wěn)壓器緩解電源啟動(dòng)問題
電阻器 R一個(gè) 通過 RD、并聯(lián)穩(wěn)壓器 IC1，二極管 D1和晶體管 Q1 構(gòu)成低負(fù)載串聯(lián)通調(diào)節(jié)偏置電源。選擇這些元件以產(chǎn)生 Q 的電壓1 落在 IC 之間的發(fā)射器1的關(guān)斷電壓和整流輔助偏置繞組輸出產(chǎn)生的標(biāo)稱電壓 VAUX_NOM.實(shí)際上，IC上的電壓1的 V抄送 引腳以有線或方式跟隨，以較高者為準(zhǔn)：VAUX_NOM 或晶體管Q...
2023-04-04
并聯(lián)穩(wěn)壓器 電源啟動(dòng)
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