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為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備帶來更多智能的Amazon Sidewalk與Matter無線網(wǎng)絡(luò)
在互聯(lián)日益緊密的世界中，物聯(lián)網(wǎng)已成為我們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡囊徊糠帧闹悄芗揖釉O(shè)備到可穿戴設(shè)備，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備使我們變得更加高效、更加健康，并帶來了新的便利水平。由Amazon公司推出的Amazon Sidewalk是一個共享無線網(wǎng)絡(luò)，旨在將物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的覆蓋范圍擴展到家庭之外，將為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備帶來更多智...
2024-10-08
物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備 Amazon Matter無線網(wǎng)絡(luò)
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高壓柵極驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析，一文get√
高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認驅(qū)動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動集成電路（HVIC）是專為半橋開關(guān)應用設(shè)計的高邊和低邊柵極驅(qū)動集成電路，驅(qū)動高壓、高速MOSFET 而設(shè)計。
2024-10-08
高壓柵極驅(qū)動器 功率耗散 散熱
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從智能手機到助聽器：MEMS音頻技術(shù)開啟無限可能
近年來，微機電系統(tǒng) (MEMS) 技術(shù)給音頻行業(yè)帶來了翻天覆地的變化。MEMS技術(shù)在音頻應用中使用微小的機械部件將電信號轉(zhuǎn)換成聲波，實現(xiàn)了更小巧、更高效的音頻設(shè)備。
2024-09-30
智能手機 助聽器 MEMS 音頻技術(shù)
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預補償方法以減少Class D功率放大器的爆裂噪聲
如今，Class D功率放大器在音頻系統(tǒng)中被廣泛使用。然而，在放大器啟動或關(guān)閉時，以及在靜音/取消靜音切換期間，揚聲器中經(jīng)常會出現(xiàn)爆裂聲或點擊聲。這些噪音可能會被聽到，并使用戶感到不適。在音頻系統(tǒng)中靜音功率放大器是避免在啟動或關(guān)閉期間出現(xiàn)爆裂聲的有效方法。此外，音頻系統(tǒng)有時播放音樂，...
2024-09-29
Class D功率放大器 爆裂噪聲
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【PSIJ測試應用方案】探索PSIJ之謎—由電源引起的高速信號抖動
PSIJ（Power Supply Induced Jitter）是指由電源因素導致的信號中抖動。這種抖動可能導致信號失真、數(shù)據(jù)傳輸錯誤，甚至影響整個系統(tǒng)的可靠性和性能。如圖1示，顯示一高速總線信號(HSS)受到其供電電源(Power Supply)的影響，其高速信號速率變化的規(guī)律與Power Supply存在一定的關(guān)聯(lián)性，眼圖分析也存在...
2024-09-26
PSIJ 測試應用 電源 高速信號抖動
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貿(mào)澤推出全新一期EIT系列 探索可持續(xù)智能電網(wǎng)的技術(shù)創(chuàng)新
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 發(fā)布Empowering Innovation Together (共求創(chuàng)新，EIT) 計劃全新一期技術(shù)內(nèi)容，探討將可再生能源納入智能電網(wǎng)技術(shù)的好處，并重點介紹AI和5G在實現(xiàn)可持續(xù)電網(wǎng)管理中的作用。
2024-09-25
貿(mào)澤 可持續(xù)智能電網(wǎng)
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使用微型模制電感器可節(jié)省空間、降低損耗并提高電源完整性和效率
電感器是電壓轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器設(shè)計中的關(guān)鍵元器件。由于具有能量儲存和回收作用，因此幾乎所有調(diào)節(jié)功率的電路中都有這些器件的身影。隨著應用趨向于更小、更緊湊的設(shè)計，而且必須不斷提高能效，設(shè)計人員在挑選電感器時需要更加審慎，才能順應趨勢并處理更大的電流。
2024-09-25
微型模制電感器 電源完整性
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學子專區(qū)—ADALM2000實驗：調(diào)諧放大器級
當輸入頻率（FIN）低于FR時，電路阻抗從其最大值開始減小并呈感性。當FIN高于FR時，電路阻抗再次下降，但呈容性。當在FR處工作時，諧振電路的阻抗達到其最大值。因此，調(diào)諧共發(fā)射極放大器2的增益也處于最大值。
2024-09-25
ADALM2000 調(diào)諧放大器
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更高額定電流的第8代LV100 IGBT模塊
本文介紹了為工業(yè)應用設(shè)計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結(jié)構(gòu)，并通過可以控制載流子的等離子體層（CPL）結(jié)構(gòu)減少芯片厚度，從而顯著的降低了功率損耗。特別是，在開通dv/dt與傳統(tǒng)模塊相同的情...
2024-09-25
IGBT模塊
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