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PN連接二極管的設(shè)計(jì)
PN連接二極管由p區(qū)域和N區(qū)組成，該區(qū)域由耗盡區(qū)域分離，該區(qū)域存儲(chǔ)了電荷。上一個(gè)教程中描述的效果是實(shí)現(xiàn)的，而沒(méi)有將任何外部電壓應(yīng)用于實(shí)際的PN連接，從而導(dǎo)致連接處處于平衡狀態(tài)。
2025-02-26
PN連接二極管
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硅基功率開(kāi)關(guān)已經(jīng)轉(zhuǎn)向GaN開(kāi)關(guān)了嗎？
在開(kāi)關(guān)模式電源中使用GaN開(kāi)關(guān)是一種相對(duì)較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況，提到了所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了GaN作為硅的替代方案在開(kāi)關(guān)模式電源中的未來(lái)前景。如今，電源管理設(shè)計(jì)工程師常常會(huì)問(wèn)道：現(xiàn)在應(yīng)該從硅基功率開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開(kāi)關(guān)了嗎？
2025-02-26
硅基功率開(kāi)關(guān) GaN開(kāi)關(guān)
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利用與硬件無(wú)關(guān)的方法簡(jiǎn)化嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)：基本知識(shí)
本文將演示一種加速嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)原型階段的方法，說(shuō)明如何將與硬件無(wú)關(guān)的驅(qū)動(dòng)程序和傳感器結(jié)合使用，簡(jiǎn)化整個(gè)嵌入式系統(tǒng)的器件選擇。同時(shí)還將介紹嵌入式系統(tǒng)的器件、典型軟件結(jié)構(gòu)以及驅(qū)動(dòng)程序的實(shí)現(xiàn)。后續(xù)文章“利用與硬件無(wú)關(guān)的方法簡(jiǎn)化嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)：驅(qū)動(dòng)程序?qū)崿F(xiàn)”將進(jìn)一步探討執(zhí)行過(guò)程。
2025-02-24
硬件 嵌入式系統(tǒng)
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電容電壓分隔器
電容器像電阻一樣反對(duì)電流流動(dòng)，但與電阻器以熱的形式消散其不必要的能量，當(dāng)電荷充電和釋放時(shí)，電容器將能量存儲(chǔ)在其板上，或者在放電時(shí)將能量歸還到連接的電路中。
2025-02-24
電容 電壓分隔器
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自動(dòng)測(cè)試設(shè)備應(yīng)用中PhotoMOS開(kāi)關(guān)的替代方案
人工智能(AI)應(yīng)用對(duì)高性能內(nèi)存，尤其是高帶寬內(nèi)存(HBM)的需求不斷增長(zhǎng)，芯片設(shè)計(jì)因此變得更加復(fù)雜。自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)廠商是驗(yàn)證這些芯片的關(guān)鍵一環(huán)，目前正面臨著越來(lái)越大的壓力，需要不斷提升自身能力以滿(mǎn)足這一需求。傳統(tǒng)上，在存儲(chǔ)器晶圓探針電源應(yīng)用中，PhotoMOS開(kāi)關(guān)因其良好的低電容乘電阻(Cx...
2025-02-23
自動(dòng)測(cè)試設(shè)備應(yīng)用 PhotoMOS開(kāi)關(guān)
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超級(jí)電容器如何有效加強(qiáng)備用電源和負(fù)載管理 (下)
備用電源，也被稱(chēng)作不間斷電源（UPS），其主要功能是在系統(tǒng)主電源遭遇故障時(shí)迅速提供應(yīng)急電力支持。在這種情況下，電信設(shè)備、工業(yè)設(shè)施以及其他電氣系統(tǒng)可能會(huì)遭遇運(yùn)行中斷或數(shù)據(jù)丟失的風(fēng)險(xiǎn)。為了確保不間斷電源的有效供給，備用電源系統(tǒng)必須具備高度的可靠性和即時(shí)的啟動(dòng)能力。
2025-02-23
超級(jí)電容器 備用電源 負(fù)載管理
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意法半導(dǎo)體為數(shù)據(jù)中心和AI集群帶來(lái)更高性能的云光互連技術(shù)
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM) 推出了新一代專(zhuān)有硅光技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心和 AI 集群帶來(lái)性能更高的光互連解決方案。隨著 AI 計(jì)算需求的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，計(jì)算、內(nèi)存、電源以及這些資源的互連都面臨著性能和能效的挑戰(zhàn)。...
2025-02-21
意法半導(dǎo)體 數(shù)據(jù)中心 AI集群 云光互連技術(shù)
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電阻，電動(dòng)力和功率耗散
電阻是一種被動(dòng)的兩端電氣組件，將電阻作為電路元件實(shí)現(xiàn)。它是阻礙電荷流動(dòng)的導(dǎo)體，從而產(chǎn)生電阻。這種抗性是由于自由電子和導(dǎo)體原子的晶體晶格的碰撞而產(chǎn)生的。這是電阻的主要特性。
2025-02-21
電阻 電動(dòng)力 功率耗散
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公共基礎(chǔ)放大器設(shè)計(jì)
公共堿基放大器是另一種類(lèi)型的雙極連接晶體管（BJT）配置，其中晶體管的基本端子是輸入和輸出信號(hào)的常見(jiàn)終端，因此其名稱(chēng)為common Base（CB）。與更流行的普通發(fā)射極（CE）或公共收集器（CC）配置相比，常見(jiàn)的基本配置作為放大器不太常見(jiàn)，但由于其的輸入/輸出特性，但仍被使用。
2025-02-21
公共基礎(chǔ) 放大器
- 如何解決在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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