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GT-91114:Globtek推出PCB安裝的6W連續(xù)輸出的電源
GT-91114系列PCB安裝電源具有雙強制隔離,穩(wěn)壓輸出為5~48Vdc,增量為0.1V,連續(xù)輸出功率高達(dá)6W。該密封電源符合IP64防護要求,采用55.4 x 52.0 x 23.5-mm抗沖擊聚碳酸酯封裝,提供熱傳導(dǎo)冷卻。
2010-01-19
GT-91114 Globtek PCB 電源
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WitsView:面板供不應(yīng)求情況或延續(xù)至Q1
據(jù)臺灣媒體報道,展望2010年上半年,WitsView認(rèn)為,由于上游零組件供給仍有缺口,因此,供不應(yīng)求的情況可能延續(xù)至第1季。不過,零組件供應(yīng)吃緊的情形將會于第1季逐漸改善,由此看來,農(nóng)歷年后客戶對面板需求的強度能否持續(xù),將牽動產(chǎn)業(yè)第2季整體發(fā)展表現(xiàn)。
2010-01-19
WitsView 面板 供不應(yīng)求 Q1
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8.5代面板線明日開建 深圳重金布局液晶面板產(chǎn)業(yè)
昨日,深圳市政府副秘書長于忠厚深入解讀即將開工建設(shè)的8.5代液晶面板線項目,“經(jīng)過30年的發(fā)展,深圳及珠三角地區(qū)已經(jīng)成為國內(nèi)電子信息產(chǎn)品的主要生產(chǎn)基地。其中,彩電產(chǎn)量約占全國的40%?!庇谥液裰赋?,深圳建立8.5代面板線有助于鞏固深圳顯示和IT產(chǎn)業(yè)基地的地位,也將推動深圳電子產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型。
2010-01-19
8.5代 面板線 開建 布局 產(chǎn)業(yè)
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飛兆半導(dǎo)體推出新型四通道集成式視頻濾波器
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)針對現(xiàn)今許多視頻產(chǎn)品平臺逐步淘汰S-video,以及四通道正在成為標(biāo)準(zhǔn)輸出配置之市場趨勢,推出支持機頂盒和DVD播放器市場的四通道集成式視頻濾波器產(chǎn)品FMS6144A,幫助設(shè)計人員適應(yīng)這一轉(zhuǎn)變。
2010-01-18
飛兆半導(dǎo)體 四通道 集成式 視頻濾波器
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面向高電流DC/DC應(yīng)用、降低上表面熱阻的功率MOSFET
TI 高級副總裁兼電源管理全球經(jīng)理 Steve Anderson 指出:“我們的客戶需要具有更小體積和更高電流的 DC/DC 電源,以滿足各種基礎(chǔ)設(shè)施市場對處理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET 功率 MOSFET 能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流,可充分滿足這一需求?!?/p>
2010-01-18
高電流 DC/DC 上表面熱阻 功率MOSFET
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LED行業(yè)2009觀察和2010趨勢預(yù)測
光源電器,發(fā)光效率的提高非常令人欣喜。有消息說,日亞已將LED發(fā)光效率提升至249lm/W.如果消息屬實,確實利好。LED產(chǎn)品在光源和電器上的進(jìn)步,最近5年已經(jīng)超過了過去20年。
2010-01-18
LED行業(yè) 觀察 趨勢預(yù)測
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可攜式裝置面板主流爭霸戰(zhàn) 競爭日趨白熱化
低溫多晶硅薄膜電晶體液晶顯示器(LTPS TFT LCD)、主動矩陣式有機發(fā)光二極管(AMOLED)與微機電系統(tǒng)(MEMS)正角逐可攜式裝置面板的主流地位。隨著高通光電彩色MEMS面板的問世,可望將戰(zhàn)場由電子書閱讀器延伸至智慧型手機,預(yù)期三大技術(shù)的競爭將更趨白熱化。
2010-01-18
面板 AMOLED MEMS
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電子元器件 出口拉動持續(xù)向好
2009年12月以來外圍經(jīng)濟的好轉(zhuǎn)進(jìn)一步強化了未來出口的樂觀形勢。得益于出口和消費的雙輪驅(qū)動,電子元器件行業(yè)近來表現(xiàn)搶眼。自去年12月以來,申萬電子元器件行業(yè)整體上漲為14.72%,漲幅僅次于信息設(shè)備行業(yè)。
2010-01-18
電子元器件 出口 LED
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電子信息產(chǎn)品:去年前11月出口總額達(dá)4068億美元
2009年1-11月,電子信息產(chǎn)品累計進(jìn)出口總額6868.78億美元,同比下降16.66%,比全國商品進(jìn)出口總額降幅低0.8個百分點,占全國外貿(mào)進(jìn)出口總額的34.97%。
2010-01-18
電子信息產(chǎn)品 進(jìn)口 出口
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)?
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)有何差異?
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