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泰科電子推出符合ROHS認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的IDC SSL連接器
日前，泰科電子宣布推出全新IDC SSL連接器，用于實現(xiàn)LED印刷電路板(PCB)上散線的快速、免工具刺破式連接。該產(chǎn)品適用于18-24 AWG的單芯及多股線，通過絕緣刺破技術(shù)消除剝線與焊接過程中繁重的人工工作
2010-04-20
泰科 ROHS認(rèn)證 標(biāo)準(zhǔn) IDC SSL連接器
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全球醫(yī)療器械產(chǎn)業(yè)分析 自動化企業(yè)商機無限
醫(yī)療器械行業(yè)是一個多學(xué)科交叉、知識密集、資金密集型的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，是當(dāng)今世界發(fā)展最快、貿(mào)易往來最為活躍的產(chǎn)業(yè)之一。我國醫(yī)療器械工業(yè)總產(chǎn)值自20世紀(jì)90年代以來一直保持快速增長，平均增幅一直保持在12%-15%的水平。根據(jù)醫(yī)療器械行業(yè)“十一五”規(guī)劃的預(yù)計，2010年我國醫(yī)療器械行業(yè)總產(chǎn)值將達(dá)到1000...
2010-04-20
醫(yī)療器械 自動化 商機無限
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應(yīng)對技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會成功舉辦
應(yīng)對技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會成功舉辦
2010-04-19
應(yīng)對技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會成功舉辦
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2011年車燈市場LED尾燈成長最強勁
由于車燈市場發(fā)展也進(jìn)入成熟期，先進(jìn)光源系統(tǒng)已成為車燈發(fā)展關(guān)鍵。2007年全球車燈市場規(guī)模132億美元，到2011年可望成長到150億美元規(guī)模。其中，LED車燈市場規(guī)模約6.9億美元，但StrategiesUmlimited預(yù)計，到2011年全球LED車燈市場規(guī)模將可成長到12億美元，LED車燈市場滲透率上看8%，年復(fù)合成長率達(dá)13%。
2010-04-19
車燈市場 LED尾燈 強勁 滲透率
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安華高科技推出適合固態(tài)照明應(yīng)用的超小型封裝3W高功率LED
ASMT-Jx32提供有140o的寬廣視角，可以滿足需要良好色彩一致性的設(shè)計需求，Avago的3W產(chǎn)品是一款可以處理高溫和承受高驅(qū)動電流的高性能LED，ASMT-Jx32擁有135oC的最高結(jié)溫，為照明設(shè)計工程師帶來更高的設(shè)計靈活度。
2010-04-19
固態(tài)照明 超小型 高功率LED 安華高
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東京農(nóng)工大學(xué)開發(fā)出單層碳納米管與鈦酸鋰復(fù)合而成的鋰離子電容器
東京農(nóng)工大學(xué)研究生院于2009年3月宣布，開發(fā)出了采用碳納米纖維（CNF）與LTO復(fù)合而成的負(fù)極的鋰離子電容器，與以往的采用活性炭的雙電層電容器相比，實現(xiàn)了約3倍的能量密度。而且還表示，將完善由日本Chemi-Con定于2011年春季樣品供貨采用該技術(shù)的鋰離子電容器的體制。
2010-04-19
東京 大學(xué) 單層 碳納米管 鈦酸鋰 鋰離子電容器
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IR上市導(dǎo)通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET
據(jù)稱，該功率MOSFET的導(dǎo)通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM（figure of merit，優(yōu)值）為“業(yè)界最高”。全部柵極電荷量為標(biāo)準(zhǔn)50nC。最大柵源間電壓為±20V，最大漏電流為37A。批量購買1萬個時的單價為1.50美元。
2010-04-19
IR 導(dǎo)通電阻 耐壓 功率MOSFET
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2011年電路保護(hù)市場將持續(xù)增長
2011年，市場預(yù)測預(yù)測表明：表面貼裝式壓敏電阻將在手機和汽車電子市場持續(xù)成長；聚合物PTC熱敏電阻在傳統(tǒng)過流保護(hù)如筆記本電腦和上網(wǎng)本的USB防護(hù)和電池的二次防護(hù)方面得到發(fā)展；NTC熱敏電阻的市場重心將偏向汽車和大型家庭用空調(diào)系統(tǒng)（其價值在于組件的生產(chǎn)，而不是熱敏電阻本身）；氣體放電管由于...
2010-04-16
過流保護(hù) 過壓保護(hù) 電路保護(hù)
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全球半導(dǎo)體設(shè)備資本支出衰退潮有望扭轉(zhuǎn)
國際研究暨顧問機構(gòu)Gartner發(fā)布最終統(tǒng)計結(jié)果，2009年全球半導(dǎo)體設(shè)備資本設(shè)備支出為166億美元，較2008年衰退45.8%。在主要設(shè)備部門中，受到削減資本支出的沖擊，晶圓廠設(shè)備支出大幅下滑47%，后端設(shè)備(BEE)支出亦減少40%。
2010-04-16
半導(dǎo)體設(shè)備 資本支出 衰退潮 扭轉(zhuǎn)
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