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Vishay推出多款面向高端應(yīng)用的Bulk Metal箔表面貼裝電阻
Vishay目前推出采用 Bulk Metal 箔技術(shù)制造的多款表面貼裝電阻，以實現(xiàn)最高端領(lǐng)域?qū)ζ骷呖煽啃院透叻€(wěn)定性的嚴(yán)苛要求。這次發(fā)布的器件中，包括新改進(jìn)的 VSMP（0805 至 2512）系列、及VCS1625Z 和 CSM2512S 在內(nèi)。
2009-02-13
VSMP VCS1625Z CSM2512S Bulk Metal 表面貼裝電阻
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E102Z：VISHAY新型超高精度Z箔電阻
Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) 近日推出新型超高精度 Bulk Metal Z 箔電阻 --- E102Z。該款電阻可在 ?55°C 到 +125°C 的溫度范圍內(nèi)提供達(dá)軍品級標(biāo)準(zhǔn)的絕對 TCR 值 (±0.2 ppm/°C)，容差為 ±0.005% (50 ppm)，在 +70oC 下工作 2000 小時的負(fù)載壽命穩(wěn)定性達(dá)到 ±0.005% (50 ppm)。E102Z 符...
2009-02-13
E102Z TCR VISHAY Z 箔電阻 軍事 航空 醫(yī)療
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CEF上榜“2008年度中國最具參展價值的行業(yè)展會榜單”
近日，中國電子展(CEF)榮獲由中國名企排行網(wǎng)、中國采購與招標(biāo)網(wǎng)聯(lián)合主辦的2008年度中國最具參展價值的行業(yè)展會評價推介活動中電子行業(yè)展會的一等獎。
2009-02-13
太陽能光伏 中國電子展 裝備制造 電子行業(yè)
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太陽能LED街燈的挑戰(zhàn)及安森美半導(dǎo)體高能效解決方案
LED在太陽能街燈的使用中越來越廣泛，本文介紹了采用最大峰值功率追蹤技術(shù)提升太陽能板能效 的方法，介紹了應(yīng)對LED性能提升的驅(qū)動電路設(shè)計策略及解決方案，介紹了安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于這些方法、策略和解決方案中的相關(guān)器件。
2009-02-12
太陽能 LED街燈 MPPT CS51221 NCP3066 安森美
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滿足可再生能源和傳統(tǒng)電機驅(qū)動應(yīng)用 英飛凌擴(kuò)產(chǎn)功率模塊
近日，英飛凌科技股份公司宣布，該公司正在擴(kuò)建其位于匈牙利Cegléd的功率模塊生產(chǎn)工廠，以滿足日益增長的對于可再生能源和傳統(tǒng)電機驅(qū)動系統(tǒng)的需求。2012年英飛凌計劃使Cegléd工廠的IGBT模塊達(dá)到年產(chǎn)近600萬塊。
2009-02-12
功率模塊 IGBT 電機驅(qū)動 可再生能源
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2008年1～11月我國電池行業(yè)運行情況
2008年11月，我國電池行業(yè)完成工業(yè)總產(chǎn)值221億元，電池產(chǎn)量30.7億只，鉛酸蓄電池產(chǎn)量619萬千伏安時；1～11月，累計完成工業(yè)總產(chǎn)值2243億元，同比增長43.9%，較1～10月下降1.7個百分點；利潤總額125億元，同比增長73.9%，虧損企業(yè)虧損額9億元，同比增長17.6%。
2009-02-12
電池
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300144Z/5Z：Vishay兩款新型超高精度Z箔分壓器電阻
日前，Vishay推出兩款新型超高精度Z箔分壓器電阻300144Z 和 300145Z。典型應(yīng)用將包括以下設(shè)備中的高精度儀表放大器、橋接網(wǎng)絡(luò)及差分放大器：熱穩(wěn)定性、響應(yīng)時間及長期穩(wěn)定性均至關(guān)重要的高端醫(yī)療、軍事、航空、自動測試及井下鉆探設(shè)備。
2009-02-11
300144Z 300145Z Z箔分壓器電阻
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如何使高速數(shù)據(jù)接口和電信設(shè)備免受ESD與過載危害
本文介紹了安森美的ESD保護(hù)產(chǎn)品線，包括TVS和ESD保護(hù)平臺。還介紹了安森美的晶閘管浪涌保護(hù)器件(TSPD)系列 ，TSPD導(dǎo)通速度快、電壓精度高和電流能力高且不存在功率限制，可對瞬時浪涌提供極佳的保護(hù)，可以對室外國工作的電信設(shè)備進(jìn)行有效的保護(hù)，使他們免受靜電放電、閃電浪涌、電力故障造成的過載...
2009-02-11
ESD 瞬時浪涌 TVS 晶閘管 USB2.0 HDMI 安森美 電路保護(hù)
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F系列：ROHM高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻特性MOSFET
ROHM成功開發(fā)出具有高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻特性，并且大幅度縮短了內(nèi)部二極管反向恢復(fù)時間 (trr) 的高耐壓MOSFET「F系列」！
2009-02-10
ROHM MOSFET 低導(dǎo)通 高耐壓
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