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第十講 示波器基礎(chǔ)之順序模式
本文主要講力科示波器的順序模式及其與Tek示波器DPX模式的比較
2010-01-25
示波器 順序模式
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韓臺(tái)面板結(jié)束折舊利潤增加:內(nèi)地面板業(yè)雪上加霜
1月19日，國內(nèi)液晶面板企業(yè)深天馬(000050.SZ)和其大股東深圳中航(00161.HK)同時(shí)發(fā)布公告稱，深天馬擬以5.34元/股的價(jià)格定向增發(fā)1.4億股股份，購買深圳中航集團(tuán)、張江集團(tuán)、上海國資公司等持有的上海天馬70%股份，實(shí)現(xiàn)對上海天馬4.5代線的100%控股。
2010-01-22
韓臺(tái)面板 折舊 利潤 內(nèi)地面板 雪上加霜
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光伏企業(yè)爭搶國家實(shí)驗(yàn)室欲奪行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定權(quán)
17家光伏企業(yè)和科研院所為爭奪太陽能光伏發(fā)電技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的較量塵埃落定。1月 18日，科技部基礎(chǔ)司卞松保博士對《每日經(jīng)濟(jì)新聞》透露，科技部已通過了英利集團(tuán)和江蘇常州天合光能有限公司申報(bào)建立光伏發(fā)電技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的材料，這也是我國首批獲得通過的光伏發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。
2010-01-22
光伏企業(yè) 國家實(shí)驗(yàn)室 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 制定權(quán)
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透視中國電子元件市場2010新動(dòng)向
電子信息技術(shù)是當(dāng)今發(fā)展最快，滲透性最強(qiáng)、應(yīng)用最廣的關(guān)鍵技術(shù)，是推動(dòng)經(jīng)濟(jì)增長和科技應(yīng)用進(jìn)程的重要引擎。在電子信息技術(shù)發(fā)展中，半導(dǎo)體技術(shù)起了至關(guān)作用。它是一個(gè)技術(shù)密集、投資密集和高精尖設(shè)備密集產(chǎn)業(yè)。半導(dǎo)體科技不僅制造了功能強(qiáng)大的IC和各式分立器件，對電子信息技術(shù)發(fā)展起到不可估量的推...
2010-01-22
透視 電子元件 市場 新動(dòng)向 SZ2010 CEF 中國電子展
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半導(dǎo)體業(yè)銷售回升中 電子元器件蘊(yùn)藏機(jī)會(huì)
全球半導(dǎo)體業(yè)2010年的銷售額有望達(dá)到約2550億美元,將增長10.2%，從而結(jié)束2008年和2009年連續(xù)兩年的持續(xù)下滑，這預(yù)示著半導(dǎo)體業(yè)將逐漸擺脫金融危機(jī)的影響。美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)測，2010年全球半導(dǎo)體業(yè)的銷售額將增長10.2%；世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)和美國高德納公司對增長率的預(yù)測分別為12.2%和12.8%。
2010-01-22
半導(dǎo)體 回升 元器件 機(jī)會(huì)
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杜邦將投資1.75億美元于太陽能產(chǎn)品
杜邦公司近日表示，將額外投資1.75億美元擴(kuò)大太陽能電池材料生產(chǎn)線，以實(shí)現(xiàn)該化學(xué)產(chǎn)品制造商使用替代能源的承諾。
2010-01-22
杜邦 太陽能 電池 泰德拉產(chǎn)品
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電力電纜的型號(hào)及品種
本文主要介紹電力電纜的型號(hào)及品種
2010-01-22
電力電纜 充油電纜 橡皮電纜
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弱電電線各種參數(shù)
本文主要介紹弱電電線各種參數(shù)。
2010-01-22
電線參數(shù) 電纜 KVV RVSP
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晶圓廠產(chǎn)能不足 MOSFET供貨警報(bào)響
臺(tái)晶圓代工廠產(chǎn)能供應(yīng)失序情形，近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓，包括LCD驅(qū)動(dòng)IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產(chǎn)能動(dòng)作，讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶一直緊急追單，MOSFET市場明顯供不應(yīng)求現(xiàn)象，對臺(tái)系相關(guān)供應(yīng)商如富鼎、尼克森及茂達(dá)2010年...
2010-01-21
晶圓 產(chǎn)能 MOSFET 供貨 警報(bào)
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
- 多通道同步驅(qū)動(dòng)技術(shù)中的死區(qū)時(shí)間納米級(jí)調(diào)控是如何具體實(shí)現(xiàn)的？
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