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PolySwitch RKEF系列：泰科新型表面貼裝氣體放電管
日前，泰科電子宣布該公司的氣體放電管（GDT）產(chǎn)品線增加了新的器件。表面貼裝的GDT有范圍很寬的各種尺寸和浪涌電壓額定值的產(chǎn)品，用于保護(hù)高速xDSL調(diào)制解調(diào)器、分路器、DSLAM設(shè)備、AIO打印機(jī)、基站以及安防系統(tǒng)，防止過電壓造成損壞。
2008-11-28
氣體放電管 GDT 表面貼裝 電路保護(hù)
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NUS6189：安森美最新高集成度過壓保護(hù)器件
安森美半導(dǎo)體推出NUS6189新器件。NUS6189設(shè)計(jì)用于保護(hù)敏感電子電路免受過壓瞬態(tài)和電源故障影響。這器件經(jīng)過優(yōu)化，應(yīng)用于使用外部交流-直流(AC-DC)適配器或車載充電器，如手機(jī)、便攜式媒體播放器(PMP)和移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備(MID)。
2008-11-21
NUS6189 過壓保護(hù) MOSFET 晶體管
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VBUS053AZ-HAF：Vishay新型USB-OTG總線端口保護(hù)陣列
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布推出新型超薄 ESD 保護(hù)陣列，該器件具有低電容和漏電流，可保護(hù) USB-OTG 端口免受瞬態(tài)電壓信號(hào)損壞。新器件在工作電壓為 5.5V 時(shí)提供三線 USB ESD 保護(hù)，在工作電壓為 12V 時(shí)提供單線 VBUS 保護(hù)。
2008-11-20
VBUS053AZ-HAF ESD 保護(hù)陣列
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合聚財(cái)富，智創(chuàng)價(jià)值——國光電子亮相72屆CEF
國光攜最新的300系列鋁電解電容器產(chǎn)品前來參展，引起了業(yè)界人士的關(guān)注。
2008-11-15
國光 電容器 CEF
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金融危機(jī)時(shí)代，“良民”型企業(yè)更需練好內(nèi)功
金融危機(jī)對(duì)產(chǎn)品單一型企業(yè)的影響要比資金導(dǎo)向性企業(yè)更大，在金融危機(jī)的影響下，企業(yè)更應(yīng)該做好基礎(chǔ)的研發(fā)和認(rèn)證工作。
2008-11-14
金融危機(jī) 山寨 倒閉
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應(yīng)用于EMI及ESD的新型片式元器件
第三代移動(dòng)通信最終將使高速率（2Mbps）無線傳輸?shù)臄?shù)據(jù)通信和多媒體通信實(shí)現(xiàn)真正的無縫漫游，全面推動(dòng)現(xiàn)代通信與信息技術(shù)的個(gè)人化、移動(dòng)化和全球一體化。順應(yīng)通信與信息終端的便攜化、小型化與多功能化發(fā)展潮流，新型元器件呈現(xiàn)微型化、復(fù)合化、高頻化、高性能化等趨勢。
2008-11-10
EMI ESD 片式元件
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安森美半導(dǎo)體專家分享ESD保護(hù)的先進(jìn)技術(shù)
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)今日在臺(tái)北舉行的第七屆靜電放電保護(hù)技術(shù)研討會(huì)上，針對(duì)如何防止靜電放電(ESD) 所帶來的損失，從元件、制造和系統(tǒng)三個(gè)層級(jí)的技術(shù)面加以探討，為業(yè)界提供實(shí)質(zhì)建議。要有效降低ESD所帶來的損害，除了可選擇在制程中直接控制ESD之外，也可...
2008-11-04
靜電放電 ESD
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同軸電纜系統(tǒng)的防雷新方法
本文主要研究同軸電纜系統(tǒng)防雷的方法，首先介紹了傳統(tǒng)的防雷法：接地法，眼壓法，隔離法，分析其優(yōu)缺點(diǎn)，接著重點(diǎn)介紹了一種新的防雷方法——平行防雷法。
2008-11-03
同軸電纜防雷 平行防雷 接地防雷 眼壓防雷 隔離防雷
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車載ECU中USB接口電路供電保護(hù)設(shè)計(jì)
本文針對(duì)車載ECU中的USB接口電路供電保護(hù)設(shè)計(jì)問題，提出一種設(shè)計(jì)電路可以實(shí)現(xiàn)對(duì)USB電源輸出線的有效保護(hù)，無論USB電源輸出線VBUS發(fā)生對(duì)12V電源還是對(duì)地短路，均不影響車載ECU內(nèi)部電路的正常工作，實(shí)現(xiàn)了本質(zhì)安全級(jí)的短路保護(hù)。
2008-11-03
車載ECU USB接口電路 電路保護(hù)
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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