-
光敏電阻從原理到國(guó)產(chǎn)替代的全面透視與選型指南
光敏電阻（Photoresistor/LDR）是一種基于光電導(dǎo)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件，其電阻值隨入射光強(qiáng)度變化而改變。核心材料為硫化鎘（CdS）、硒化鎘（CdSe）等半導(dǎo)體，通過(guò)光照激發(fā)載流子（電子-空穴對(duì)），降低材料電阻值。無(wú)光照時(shí)，暗電阻可達(dá)1.5MΩ；強(qiáng)光照下，亮電阻可低至1kΩ以下。
2025-05-20
光敏電阻
-
MOSFET技術(shù)解析：定義、原理與選型策略
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種通過(guò)柵極電壓控制源漏電流的半導(dǎo)體器件，具備高輸入阻抗、低功耗、高頻特性等優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、通信設(shè)備等領(lǐng)域。
2025-05-20
MOSFET
-
線繞電阻與金屬膜電阻技術(shù)對(duì)比及選型指南
在電子電路設(shè)計(jì)中，電阻作為基礎(chǔ)元件，其性能直接影響電路的穩(wěn)定性與精度。線繞電阻與金屬膜電阻作為兩大主流類型，在技術(shù)特性與應(yīng)用場(chǎng)景上存在顯著差異。線繞電阻以高精度、強(qiáng)過(guò)載能力著稱，常用于工業(yè)控制、儀器儀表等對(duì)穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛的領(lǐng)域；而金屬膜電阻則憑借小型化、低成本優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于...
2025-05-20
線繞電阻 金屬膜電阻
-
中微公司在TechInsights 2025半導(dǎo)體供應(yīng)商獎(jiǎng)項(xiàng)調(diào)查中榮獲兩項(xiàng)第一
在全球技術(shù)分析和知識(shí)產(chǎn)權(quán)服務(wù)提供商TechInsights舉辦的2025年半導(dǎo)體供應(yīng)商獎(jiǎng)項(xiàng)調(diào)查(Semiconductor Supplier Awards Survey)中榮獲六大獎(jiǎng)項(xiàng)，其中在WFE基礎(chǔ)芯片制造商（WFE to Foundation Chip Makers）、薄膜沉積設(shè)備（Deposition Equipment）兩個(gè)榜單中位列第一。
2025-05-19
中微公司
-
線繞電阻與碳膜電阻技術(shù)對(duì)比及選型指南
線繞電阻采用鎳鉻合金等高電阻率金屬絲繞制在陶瓷骨架上，表面覆蓋絕緣釉層。其電阻值由繞線長(zhǎng)度、線徑及合金成分決定，典型溫度系數(shù)可達(dá)±5ppm/℃，精度可達(dá)0.01%（E96系列）。碳膜電阻則通過(guò)真空沉積工藝在陶瓷基體形成碳基薄膜，電阻值由膜層厚度和碳濃度控制，溫度系數(shù)通常為±200ppm/℃，精度范圍0...
2025-05-18
線繞電阻 碳膜電阻
-
從實(shí)驗(yàn)室到市場(chǎng)：碳化硅功率器件如何突破可靠性瓶頸
從 MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無(wú)數(shù)電子設(shè)備的核心。 從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。
2025-05-16
安森美 碳化硅
-
厚膜電阻在通信基礎(chǔ)設(shè)施中的關(guān)鍵應(yīng)用與技術(shù)突破
隨著5G通信技術(shù)的商用化進(jìn)程加速，通信基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)元器件的性能要求日益嚴(yán)苛。厚膜電阻憑借其優(yōu)異的高頻特性、精密控制能力和環(huán)境適應(yīng)性，在5G基站電源、光模塊驅(qū)動(dòng)等核心場(chǎng)景中扮演著不可替代的角色。本文以Yageo RC系列和BOURNS 3590S系列為例，深入剖析其在通信基礎(chǔ)設(shè)施中的技術(shù)實(shí)現(xiàn)與應(yīng)用價(jià)值。
2025-05-16
厚膜電阻 通信基礎(chǔ)設(shè)施
-
貿(mào)澤電子聯(lián)合ADI與Samtec發(fā)布工業(yè)AI/ML電子書：探索工業(yè)自動(dòng)化未來(lái)
業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子宣布與ADI和Samtec合作推出全新電子書《9 Experts Discuss Robotics, AI, and ML in Industrial Applications》（9位專家探討工業(yè)應(yīng)用中的機(jī)器人、AI和ML），探討機(jī)器人、人工智能 (AI) 和機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 如何改變制造業(yè)、物流業(yè)等領(lǐng)域的格局。通過(guò)精密運(yùn)動(dòng)控...
2025-05-16
貿(mào)澤電子 ADI Samtec 機(jī)器人 AI ML領(lǐng)域
-
工程師必看！從驅(qū)動(dòng)到熱管理：MOSFET選型與應(yīng)用實(shí)戰(zhàn)手冊(cè)
MOSFET因其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，已成為模擬電路與數(shù)字電路中不可或缺的元件，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備、智能手機(jī)及便攜式數(shù)碼產(chǎn)品中。其核心優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在三個(gè)方面：驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化，所需驅(qū)動(dòng)電流遠(yuǎn)低于BJT，可直接由CMOS或集電極開路TTL電路驅(qū)動(dòng)；開關(guān)速度優(yōu)異，無(wú)電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，支持高速工作；熱...
2025-05-15
MOSFET 選型 應(yīng)用實(shí)戰(zhàn) 熱管理
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
- 多通道同步驅(qū)動(dòng)技術(shù)中的死區(qū)時(shí)間納米級(jí)調(diào)控是如何具體實(shí)現(xiàn)的？
- 電壓放大器：定義、原理與技術(shù)應(yīng)用全景解析
- 減排新突破！意法半導(dǎo)體新加坡工廠冷卻系統(tǒng)升級(jí)，護(hù)航可持續(xù)發(fā)展
- 低排放革命！貿(mào)澤EIT系列聚焦可持續(xù)技術(shù)突破
- 工程師必看：晶振起振檢測(cè)全攻略
- 高功率鍍膜新突破！瑞典Ionautics HiPSTER 25電源首次運(yùn)行
- 安森美SiC Cascode技術(shù)：共源共柵結(jié)構(gòu)深度解析
- 晶振如何起振：深入解析石英晶體的壓電效應(yīng)
- 精度?帶寬?抗噪！三大維度解鎖電壓放大器場(chǎng)景適配密碼
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
