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Vishay新款Power Metal Strip電池分流電阻
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款Power Metal Strip?電池分流電阻 --- WSBS8518，新電阻在8518尺寸封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)了36W功率和低至100μΩ的極低阻值。
2009-07-27
Vishay 電阻器 電池分流電阻 低阻值
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第三講 電連接器的制造過(guò)程
電子連接器種類繁多,但制造過(guò)程是基本一致的,一般可分為四個(gè)階段：沖壓(Stamping)、電鍍(Plating)、注塑(Molding)、組裝(Assembly)。具體介紹如下
2009-07-26
連接器 沖壓 Stamping 電鍍 Plating 注塑 Molding 組裝 Assembly
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開關(guān)變壓器第十講 單激式變壓器內(nèi)部損耗分析匯總
變壓器鐵芯的磁滯損耗，實(shí)際上就是流過(guò)變壓器初級(jí)線圈勵(lì)磁電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)在鐵芯中產(chǎn)生的一部分能耗；但并不是所有勵(lì)磁電流的能量都轉(zhuǎn)化為磁滯損耗，還有一部分勵(lì)磁電流的能量要轉(zhuǎn)化反電動(dòng)勢(shì)輸出；因此，只要求出勵(lì)磁電流總的損耗，再減去反電動(dòng)勢(shì)輸出的損耗，剩余之值就是磁滯損耗。
2009-07-23
開關(guān)變壓器
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第二講 連接器的基本技術(shù)性能
連接器的基本性能可分為三大類：即機(jī)械性能、電氣性能和環(huán)境性能。
2009-07-23
連接器 機(jī)械性能 電氣性能 環(huán)境性能
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泰科電子最新LED燈具用圓形防水連接器
近日，泰科電子面向全球市場(chǎng)宣布推出一款新型經(jīng)濟(jì)型圓形防水連接器。產(chǎn)品完全達(dá)到IP67防塵防水等級(jí)，最大直徑僅為18.2mm的小型化設(shè)計(jì)，滿足小型化趨勢(shì)及外表美觀的LED照明市場(chǎng)，廣泛適合各種LED燈具的室外應(yīng)用連接。
2009-07-23
泰科電子 連接器 LED照明 LED
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上網(wǎng)本被持續(xù)看好，09年成長(zhǎng)率近100%
根據(jù)DisplaySearch最新一季全球notebook PC調(diào)查指出，2009年上網(wǎng)本滲透率將達(dá)到整體筆記本電腦20%，而且傳統(tǒng)筆記本電腦（指顯示屏尺寸12.1寸及以上尺寸）與去年持平，出貨量沒有成長(zhǎng)。
2009-07-22
上網(wǎng)本 筆記本電腦 notebook PC DisplaySearch
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CMMB手持電視將淪為下一個(gè)小靈通？
近日，CMMB手持電視因突然將免費(fèi)調(diào)為收費(fèi)，在業(yè)內(nèi)掀起了極大爭(zhēng)議。一些消費(fèi)者坦言，購(gòu)買一個(gè)CMMB產(chǎn)品花費(fèi)1000多元，還要每月付費(fèi)，實(shí)在有些說(shuō)不過(guò)去。特別是在這一產(chǎn)品的市場(chǎng)化還處在初級(jí)階段，運(yùn)營(yíng)部門的急于收費(fèi)，無(wú)疑將這一產(chǎn)品提前扼殺在搖籃中。
2009-07-21
CMMB 手機(jī)電視 手機(jī)
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RFID市場(chǎng)近40億美元 2009年形勢(shì)依然嚴(yán)峻
2008年第四季度RFID解決方案的需求疲軟，2009年第一季度繼續(xù)收縮。根據(jù)目前的機(jī)會(huì)管道和銷售周期，對(duì)于供應(yīng)商及其渠道合作伙伴來(lái)說(shuō)，接下來(lái)的兩個(gè)季度仍面臨各種挑戰(zhàn)。
2009-07-21
RFID RFID市場(chǎng) RFID戰(zhàn)略 RFID解決方案
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堆疊式LED結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)緊湊型多通道光學(xué)耦合器
光學(xué)耦合器的工作基礎(chǔ)是LED發(fā)出的光通過(guò)透明的絕緣介質(zhì)到光電探測(cè)器，這種介質(zhì)提供2.5kV-6kV范圍的高壓絕緣。在任何情況下，LED的排列、光導(dǎo)材料、介電材料和IC都會(huì)直接影響光耦合和高壓絕緣的性能。一般來(lái)說(shuō)，光學(xué)耦合器封裝與傳統(tǒng)集成電路封裝類似，但它采用獨(dú)特的工藝步驟和必要的材料，以形成光...
2009-07-21
光學(xué)耦合器 封裝工藝 背面發(fā)光LED LED
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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