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為嵌入式設(shè)備構(gòu)筑安全防線，這些設(shè)計(jì)要點(diǎn)，你一定要看！
一個包含硬件和內(nèi)置軟件的設(shè)備就是我們常說的嵌入式系統(tǒng)，這些設(shè)備能獨(dú)立完成一項(xiàng)功能或一組任務(wù)，它們中許多存儲著重要的信息，有可能還會執(zhí)行影響人類和環(huán)境的關(guān)鍵功能?，F(xiàn)在，嵌入式設(shè)備已成黑客攻擊的主要目標(biāo)。由于許多由嵌入式設(shè)備驅(qū)動的小組件和機(jī)器在運(yùn)行中必須連接到互聯(lián)網(wǎng)，因此網(wǎng)絡(luò)黑客...
2022-07-08
嵌入式設(shè)備 設(shè)計(jì)要點(diǎn)
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以太網(wǎng)和工業(yè)以太網(wǎng)之間有哪些不同？
以太網(wǎng)，尤其是工業(yè)以太網(wǎng)近來已成為制造業(yè)的熱門詞匯。它們雖然類似，卻各有特點(diǎn)，各有優(yōu)勢。你搞清楚嗎？
2022-07-08
以太網(wǎng) 工業(yè)以太網(wǎng)
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從五大發(fā)展趨勢看，將來如何選擇電源管理芯片
作為電子系統(tǒng)中必不可少的部分，電源模塊極最常見，同時也是極考驗(yàn)硬件工程師功力的部分之一。電源模塊是電子系統(tǒng)中對電能實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換、分配、控制和監(jiān)測等功能的子系統(tǒng)，整個電子系統(tǒng)的功耗、性能、成本和體積都與電源模塊設(shè)計(jì)直接相關(guān)?，F(xiàn)代大型電子系統(tǒng)正在向高集成、高速、高增益、高可靠性方向發(fā)...
2022-07-08
發(fā)展趨勢 電源管理 芯片
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來電！物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備電源設(shè)計(jì)指南
隨著物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備越來越多地用于工業(yè)設(shè)備、家居自動化和醫(yī)療應(yīng)用中，通過減小外形尺寸、提高效率、改善電流消耗，或者加快充電時間（對于便攜式物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備）來優(yōu)化這些設(shè)備的電源管理的壓力也越來越大。所有這些都必須以小尺寸實(shí)現(xiàn)，既不能影響散熱，也不能干擾這些設(shè)備實(shí)現(xiàn)無線通信。
2022-07-07
物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備 電源設(shè)計(jì)
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VIAVI賦能NTT DOCOMO Open RAN生態(tài)系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)全球接入
VIAVI Solutions（VIAVI）（納斯達(dá)克股票代碼：VIAV）近日宣布為NTT DOCOMO的5G Open RAN生態(tài)系統(tǒng)（OREC）提供支持。從3G的早期階段到5G，NTT DOCOMO一直使用VIAVI 的TM500網(wǎng)絡(luò)測試儀進(jìn)行基站測試，如今又采用了VIAVI領(lǐng)先的測試套件中的關(guān)鍵元素，以對整體O-RAN進(jìn)行端到端測試。此外，這兩家公司都...
2022-07-06
VIAVI OREC 5G
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仿真看世界之SiC單管的開關(guān)特性
如下圖1是今年英飛凌新推出的一顆TO-247-3封裝的1200V/45m?的SiC MOSFET單管。假定該器件焊到PCB后，其管腳到器件內(nèi)部芯片柵極、漏極和源極的雜散參數(shù)如下圖所示，其中VD1_Q1、VG1_Q1和VS2_Q1表示器件Q1外部管腳測到的信號，VD0_Q1、VG0_Q1和VS0_Q1表示器件Q1內(nèi)部芯片的信號，芯片Q1內(nèi)包含寄生電阻R...
2022-07-06
SiC單管 開關(guān)特性
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5V輸入升壓架構(gòu)兩節(jié)串聯(lián)鋰電池充電管理芯片SGM41528
隨著電子產(chǎn)品輸出功率的不斷提高，單節(jié)電池所能提供的輸出功率已經(jīng)不能滿足這些高功率產(chǎn)品的需求，因此兩節(jié)、三節(jié)甚至更多節(jié)電池串聯(lián)的供電的方案得以大量應(yīng)用，如移動POS機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、藍(lán)牙音箱、便攜式打印機(jī)、無人機(jī)、機(jī)器人、電動工具等，伴隨而來的是為這些串聯(lián)電池包提供充電的方案需求。在各...
2022-07-05
充電管理 芯片 SGM41528
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如何正確理解SiC MOSFET的靜態(tài)和動態(tài)特性
CoolSiC? MOSFET集高性能、堅(jiān)固性和易用性于一身。由于開關(guān)損耗低，它們的效率很高，因此可以實(shí)現(xiàn)高功率密度。但盡管如此，工程師需要了解器件的靜態(tài)和動態(tài)性能以及關(guān)鍵影響參數(shù)，以實(shí)現(xiàn)他們的設(shè)計(jì)目標(biāo)。在下面的文章中，我們將為您提供更多關(guān)于這方面的見解。
2022-07-05
SiC MOSFET 動態(tài)特性
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瑞薩電子與易靈思及中印云端合作共同拓展異構(gòu)SoM應(yīng)用市場
2022 年 7 月 4 日，中國上海、深圳訊 – 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723），與專注于國產(chǎn)FPGA的易靈思（深圳）科技有限公司（以下，易靈思）和AIoT解決方案供應(yīng)商中印云端（深圳）科技有限公司（以下，中印云端）今日宣布，合作共同推出ProMe系列異構(gòu)SoM（System on Module）。...
2022-07-04
瑞薩電子 易靈思 SoM
- 線繞電阻在電力電子與工業(yè)控制中的關(guān)鍵作用
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