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安森美和極氪簽署碳化硅功率器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議
2023 年 4 月 26日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON）和豪華智能純電品牌極氪智能科技（ZEEKR）宣布雙方簽署長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議（LTSA）。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能電動(dòng)汽車（EV）的能效，從而提升性能，加快充電速度，延...
2023-05-03
安森美 極氪 碳化硅功率器件
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貿(mào)澤電子新品推薦：2023年第一季度推出逾15,000個(gè)新物料
2023年4月25日 – 業(yè)界知名的全球授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)，專注于快速引進(jìn)新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設(shè)計(jì)出先進(jìn)產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度，實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)鏈到供應(yīng)鏈?的全程優(yōu)勢(shì)。貿(mào)澤受到1200多家半導(dǎo)體和電子元件制造商的信任，幫助他們將產(chǎn)品分銷到全球市場(chǎng)。貿(mào)澤旨在為客戶提供全面認(rèn)...
2023-05-03
貿(mào)澤電子 MCU 連接器
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如何控制無(wú)刷直流電機(jī)
無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、工業(yè)設(shè)備和汽車等領(lǐng)域。相對(duì)于傳統(tǒng)有刷電機(jī)，雖然無(wú)刷直流電機(jī)能夠提供更可靠和免維護(hù)的替代方案，但卻需要更復(fù)雜的電子設(shè)備來(lái)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。本文將探討驅(qū)動(dòng)無(wú)刷直流電機(jī)的多種不同技術(shù)、傳感器方案以及使用的流行算法。此外，還將介紹一些來(lái)自領(lǐng)先供應(yīng)商...
2023-04-28
無(wú)刷直流電機(jī) 貿(mào)澤電子
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車載OBC+DC/DC方案
隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，充電安全及技術(shù)越發(fā)重要，車載充電機(jī)（OBC）作為交流充電的關(guān)鍵組成部分，其市場(chǎng)規(guī)模隨著新能源汽車市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)而擴(kuò)大。據(jù)中汽協(xié)數(shù)據(jù)，2022年中國(guó)新能源汽車銷量為688.7萬(wàn)輛，新能源汽車OBC市場(chǎng)規(guī)模約為179億元，到2025年全球OBC市場(chǎng)將達(dá)到660億元，潛力巨大。
2023-04-28
OBC DC/DC 方案
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ZL6300在加載時(shí)間過(guò)長(zhǎng)系統(tǒng)的巧妙應(yīng)用
采用單片機(jī)為核心的控制系統(tǒng)常常會(huì)受到各種干擾的影響，打亂正常程序的運(yùn)行，這時(shí)就需要我司產(chǎn)品登場(chǎng)了，ZL6300集成了欠壓監(jiān)測(cè)復(fù)位、手動(dòng)復(fù)位和超時(shí)復(fù)位等功能。本文將介紹ZL6300的巧妙應(yīng)用！
2023-04-27
ZL6300 MCU 電源電壓
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獨(dú)立式有源EMI濾波器IC如何縮小共模濾波器尺寸
功率密度是汽車車載充電器和服務(wù)器電源等高度受限系統(tǒng)環(huán)境中的主要指標(biāo)。務(wù)必要減小電磁干擾 (EMI) 濾波器元件的體積，從而確保解決方案能夠滿足嚴(yán)苛的外形尺寸要求。
2023-04-26
EMI濾波器 IC 共模濾波器
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常見(jiàn)的24V電池供電的應(yīng)用有哪些？
從電動(dòng)汽車、摩托艇到光伏裝置和數(shù)據(jù)中心，電池供電系統(tǒng)正蓬勃發(fā)展。目前的趨勢(shì)主要是增加系統(tǒng)的運(yùn)行電壓以縮減系統(tǒng)尺寸、重量或增加負(fù)載的可用功率。在寬輸入功率器件的不斷進(jìn)步下，處在這股潮流最前線的是從 12V 轉(zhuǎn)換到 24V 的應(yīng)用。
2023-04-24
電池供電 應(yīng)用
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SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應(yīng)、Vth滯回效應(yīng)、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一...
2023-04-24
SiC MOSFET 短溝道效應(yīng)
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超共源共柵簡(jiǎn)史
盡管寬帶隙半導(dǎo)體已在功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中略有小成，但在由 IGBT 占主導(dǎo)的高電壓/高功率領(lǐng)域仍未有建樹(shù)。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現(xiàn)有局面。讓我們一起來(lái)了解超共源共柵的歷史，并探討如何將其重新用于優(yōu)化現(xiàn)代設(shè)計(jì)。
2023-04-24
超共源共柵 SiC FET Qorvo
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