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汽車無線接入系統(tǒng)技術(shù)
全球汽車半導(dǎo)體面臨極大的市場機(jī)會(huì),但設(shè)計(jì)工程師同樣面臨在成本、功耗、安全性等多方面的技術(shù)挑戰(zhàn)。本文以可接收和發(fā)送數(shù)據(jù)的最新智能應(yīng)答器為例,向中國汽車設(shè)計(jì)工程師介紹了在汽車無線接入系統(tǒng)設(shè)計(jì)中解決這些挑戰(zhàn)的技術(shù)方法。
2011-01-31
無線接入 汽車 PKE 智能應(yīng)答器
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第三講 電源連接器應(yīng)用案例
本講從電源連接器的產(chǎn)業(yè)發(fā)展入手，揭示電源連接器的產(chǎn)業(yè)變化規(guī)律，深入解析電源連接器在高電流密度、微型化、低成本化等方面的技術(shù)進(jìn)步，以及如何把這種進(jìn)步融入實(shí)際的應(yīng)用當(dāng)中，透過電源連接器應(yīng)用實(shí)例，以問答的形式，對(duì)電源連接器的應(yīng)用問題進(jìn)行解答。
2011-01-28
電源連接器 連接器 電源連接器應(yīng)用
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富士膠片開發(fā)出替代ITO的透明導(dǎo)電薄膜
富士膠片開發(fā)出了具有高透射率和彎曲性的透明導(dǎo)電薄膜。主要用于觸摸面板，計(jì)劃取代ITO薄膜使用。該公司在“第二屆尖端電子材料EXPO～材料日本～”（2011年1月19～21日，東京有明國際會(huì)展中心）上公開了試制品。
2011-01-28
富士膠片 ITO 透明 導(dǎo)電薄膜 觸摸面板
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汽車電磁干擾及其影響
隨著汽車技術(shù)的不斷進(jìn)步和發(fā)展，汽車電子電器設(shè)備的大量應(yīng)用，汽車電磁干擾的特點(diǎn)及其產(chǎn)生的影響也有了巨大的變化。汽車產(chǎn)生電磁干擾的源，不單純是點(diǎn)火系統(tǒng)，大量應(yīng)用于車輛上的各種電子電器設(shè)備也同樣產(chǎn)生電磁干擾……
2011-01-28
汽車 電磁干擾 EMC
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電動(dòng)汽車快速充電技術(shù)原理介紹
充電器作為電動(dòng)汽車的能量補(bǔ)給裝置，其充電性能關(guān)系到電池組的使用壽命、充電時(shí)間。實(shí)現(xiàn)對(duì)動(dòng)力電池快速、高效、安全、合理的電量補(bǔ)給是電動(dòng)汽車充電器設(shè)計(jì)的基本原則，另外，還要考慮充電器對(duì)各種動(dòng)力電池的適用性。本文對(duì)電動(dòng)汽車快速充電技術(shù)原理介紹
2011-01-28
電動(dòng)汽車 快速充電 放電 脈沖
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晨威二次電池檢測設(shè)備展示四大亮點(diǎn)
廣州市晨威電子科技有限公司生產(chǎn)的MP系列二次電池檢測裝置，展示出鮮明四大特點(diǎn)： ①性能價(jià)格比高； ②品種齊全，包括：化成裝置，分容裝置，試驗(yàn)裝置，內(nèi)阻儀，容量儀等，既可測試鎳鎘，鎘氫電池，也可檢測鋰離子電池。 ③設(shè)備穩(wěn)定性好，長時(shí)間運(yùn)行系統(tǒng)無故障。 ④人機(jī)界面友好，采用全中文液晶顯示，...
2011-01-27
晨威 二次電池檢測設(shè)備 晨威電子
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理士奧鉛酸蓄電池品質(zhì)堅(jiān)如磐石
理士奧電池被國家質(zhì)檢單位評(píng)為“產(chǎn)品質(zhì)量國家免檢”證書，并先后通過了英國IEC產(chǎn)品認(rèn)證，德國VdS產(chǎn)品認(rèn)證、泰爾認(rèn)證、歐盟CE認(rèn)證、美國UL認(rèn)證、俄羅斯的PCT認(rèn)證等，品質(zhì)堅(jiān)如磐石。
2011-01-27
鉛酸蓄電池 理士奧 理士奧鉛酸蓄電池
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麗昌鋰電材料有望降低鋰動(dòng)力電動(dòng)車價(jià)格
目前的鋰動(dòng)力電動(dòng)車造價(jià)高，導(dǎo)致不能普遍應(yīng)用。要推廣環(huán)保的鋰動(dòng)力電動(dòng)車，降低價(jià)格是關(guān)鍵，而價(jià)格的降低，從源頭上說就是原材料價(jià)格的降低，大連麗昌新材料有限公司科產(chǎn)研條件得天獨(dú)厚，如鋰電材料領(lǐng)域的一顆新星冉冉升起。
2011-01-27
麗昌鋰電 麗昌 麗昌鋰電材料
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飛兆推出UniFET? II MOSFET消費(fèi)產(chǎn)品功率轉(zhuǎn)換器
開關(guān)電源的設(shè)計(jì)人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關(guān)損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術(shù)知識(shí)，開發(fā)出經(jīng)優(yōu)化的功率MOSFET產(chǎn)品UniFET? II MOSFET，新產(chǎn)品具有更佳的體二極管和更低的開關(guān)損耗，并可在二極管恢復(fù)dv/dt模式下耐受雙倍電流應(yīng)力。
2011-01-27
UniFET? II MOSFET 飛兆 消費(fèi)產(chǎn)品 功率轉(zhuǎn)換器 開關(guān)電源
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